對pn結，在p區，空穴是多子，電子是少子。
在n區，電子是多子，空穴是少子。
figure 1 pn結正偏
figure 2 pn結反偏
pn結正偏時，多數載流子導電，反偏時，少數載流子導電。因少數載流子數量少所以反偏電流小，pn結顯示出單相電性。如果想要認為地增加反向漏電流，只要想辦法增加反偏時少數載流子的數量即可（比如光敏二極體的原理）。特別要說明，反偏時少數載流子反向通過pn接是很容易的的，甚至比正偏時多數載流子正向通過pn結還要容易。
pn結內部存在有乙個因多數載流子相互擴散而產生的內電場，而內電場的作用方向總是阻礙多數載流子正向通過，所以，多數載流子正向通過pn結時需要克服內電場的作用，需要約0.7v的外加電壓，這是pn結正嚮導通的門電壓。而反偏時，內電場在電源作用下會被加強，也就是pn結加厚，少數載流子反向通過pn結時，內電場作用反向和少數載流子通過pn結的方向一致，也就是說此時的內電場對少數載流子通過步進不會阻礙作用，甚至還會有幫助作用。這就導致了以上我們所說的結論:反偏時少數載流子反向通過pn結是很容易的，甚至比正偏時多數載流子正向通過pn結還要容易。
以npn型為例。
發射結加上正偏電壓導通後，在外加電壓的作用下，發射區的多數載流子—電子就會很容易地被大量發射進入基區。這些載流子一旦進入基區，它們在基區（p）的性質任然屬於少數載流子的。如前所述，少數載流子很容易反向穿過處於反偏轉改的pn結，所以，這些載流子—電子就很容易向上穿過處於反偏狀態的集電結區形成集電極電流ic。由此可見，集電極電流的形成並不是一定要靠集電極的高電位。集電極電流的大小更主要的要取決於發射區載流子對基區的發射與注入，取決於這種發射與注入的程度，這種載流子的發射注入程度幾乎與集電極電位的高迪沒有什麼關係。這正好能自然地說明，為什麼三極體在放大狀態下，集電極電流ic與集電極電位vc的大小無關的原因。放大狀態ic下並不受控於vc，vc的作用主要是維持集電結的反偏狀態，以此來滿足三極體放大態下所需要外部電條件。
ic的本質是「少子」電流，是通過電子注入而實現的人為可控的集電極「漏」電流，因此它就可以很容易地反向通過集電結。
三極體飽和狀態下，集電極電位很低甚至會接近或稍低於基極電位，集電結處於零偏置，但仍然會有較大的集電結反向ic產生。
三極體工作基本原理
一 三極體型別與區別 三極體大致分兩類 pnp型和npn型。p代表正極 positive，n代表負極 negative p型半導體在高純度矽中加入硼取代一些矽原子，產生大量空穴利於導電，而n型半導體在高純度矽中加入磷取代矽，在電壓刺激下產生自由電子導電。三極體在內部製造工藝上有三個特點 a 基區很薄...
三極體原理分析
1.一定要有多子少子的概念，p類半導體多子是空穴，少子是電子，n類半導體多子是電子，少子是空穴。2.從光電二極體的光刺激產生載流子模擬到三極體的發射極注入載流子，十分容易理解。3.pn結內部會形成內電場，方向為n到p抑制多子的繼續擴散，然而內電場卻利於少子的漂移，少子漂移削弱了內電場，又有利於多子的...
三極體的工作原理？
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