（一）
（二）（三）
如下圖，如果在門極和襯底之間加垂直電場（注意這個電場並不能在門極和襯底之間形成電流，原因是門極和襯底之間有一層二氧化矽），這個電場會把n型半導體中的多子（空穴）往下推，會把p型半導體中的少子（自由電子）往上吸，這樣就會形成左邊箭頭指的反型層，相當於在兩口井之間形成導電溝道，這個溝道把兩口井連在了一起，這個時候如果再在漏源(d-s)之間加電場，就導電了。
源極和襯底之間預設是連線的。
n溝道p型襯底
p溝道n型襯底
符號記憶方法：箭頭方向是內電場方向（非外加電場），外加電場與內電場方向相反。
MOS管基本構造和工作原理
一 二 三 如下圖，如果在門極和襯底之間加垂直電場 注意這個電場並不能在門極和襯底之間形成電流，原因是門極和襯底之間有一層二氧化矽 這個電場會把n型半導體中的多子 空穴 往下推，會把p型半導體中的少子 自由電子 往上吸，這樣就會形成左邊箭頭指的反型層，相當於在兩口井之間形成導電溝道，這個溝道把兩口井...
MOS管原理用法
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MOS管工作原理
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