學過模擬電路，但都忘得差不多了。重新學習mos管相關知識，大多數是整理得來並非原創。如有錯誤還請多多指點！
先上一張圖
一、 一句話mos管工作原理
nmos的特性，vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況(低端驅動)，只要柵極電壓達到一定電壓（如4v或10v, 其他電壓，看手冊）就可以了。
pmos的特性，vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接vcc時的情況(高階驅動)。但是，雖然pmos可以很方便地用作高階驅動，但由於導通電阻大，**貴，替換種類少等原因，在高階驅動中，通常還是使用nmos。二、
在使用mos管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮mos的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但並不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。
1，mos管種類和結構
mosfet管是fet的一種（另一種是jfet），可以被製造成增強型或耗盡型，p溝道或n溝道共4種型別，但實際應用的只有增強型的n溝道mos管和增強型的p溝道mos管，所以通常提到nmos，或者pmos指的就是這兩種。
至於為什麼不使用耗盡型的mos管，不建議刨根問底。
對於這兩種增強型mos管，比較常用的是nmos。原因是導通電阻小，且容易製造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用nmos。下面的介紹中，也多以nmos為主。
mos管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由於製造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，後邊再詳細介紹。
在mos管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有乙個寄生二極體。這個叫體二極體，在驅動感性負載（如馬達、繼電器），這個二極體很重要，用於保護迴路。順便說一句，體二極體
只在單個的mos管中存在，在積體電路晶元內部通常是沒有的。
2，mos開關管損失
不管是nmos還是pmos，導通後都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的mos管會減小導通損耗。現在的小功率mos管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。
mos在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。mos兩端的電壓有乙個下降的過程，流過的電流有乙個上公升的過程，在這段時間內，mos管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。
導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關時間，可以減小每次導通時的損失；降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。
3，mos管驅動
跟雙極性電晶體相比，一般認為使mos管導通不需要電流，只要gs電壓高於一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。
在mos管的結構中可以看到，在gs，gd之間存在寄生電容，而mos管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要乙個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計mos管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
第二注意的是，普遍用於高階驅動的nmos，導通時需要是柵極電壓大於源極電壓。而高階驅動的mos管導通時源極電壓與漏極電壓（vcc）相同，所以這時柵極電壓要比vcc大4v或10v。如果在同乙個系統裡，要得到比vcc大的電壓，就要專門的公升壓電路了。很多馬達驅動器都整合了電荷幫浦，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動mos管。
上邊說的4v或10v是常用的mos管的導通電壓，設計時當然需要有一定的餘量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小。現在也有導通電壓更小的mos管用在不同的領域裡，但在12v汽車電子系統裡，一般4v導通就夠用了。
mos管的驅動電路及其損失，可以參考microchip公司的an799 matching mosfet drivers to mosfets。講述得很詳細，所以不打算多寫了。
5，mos管應用電路
mos管最顯著的特性是開關特性好，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中，常見的如開關電源和馬達驅動，也有照明調光。
引數含義：
rds(on)：ds的導通電阻.當vgs=10v時，mos的ds之間的電阻
id： 最大ds電流.會隨溫度的公升高而降低
vgs: 最大gs電壓.一般為：-20v~+20v
idm: 最大脈衝ds電流.會隨溫度的公升高而降低，體現乙個抗衝擊能力，跟脈衝時間也有關係
pd: 最大耗散功率
tj: 最大工作結溫，通常為150度和175度
tstg: 最大儲存溫度
iar: 雪崩電流
ear: 重複雪崩擊穿能量
eas: 單次脈衝雪崩擊穿能量
bvdss： ds擊穿電壓
idss: 飽和ds電流，ua級的電流
igss: gs驅動電流，na級的電流.
gfs: 跨導
qg: g總充電電量
qgs: gs充電電量
qgd: gd充電電量
td(on): 導通延遲時間，從有輸入電壓上公升到10%開始到vds下降到其幅值90%的時間
tr: 上公升時間，輸出電壓 vds 從 90% 下降到其幅值 10% 的時間
td(off): 關斷延遲時間，輸入電壓下降到 90% 開始到 vds 上公升到其關斷電壓時 10% 的時間
tf: 下降時間，輸出電壓 vds 從 10% 上公升到其幅值 90% 的時間 ( 參考圖 4) 。
ciss: 輸入電容，ciss=cgd + cgs.
coss: 輸出電容，coss=cds +cgd.
crss: 反向傳輸電容，crss=cgc.
總結：n溝道的電源一般接在d，輸出s，p溝道的電源一般接在s，輸出d。
增強耗盡接法基本一樣。
p是指p溝道,n是指n溝道。
g：gate 柵極
s：source 源極
d：drain 漏極
以rjk0822spn的power mos為例：
drain to source voltage:vdss漏源極電壓80v
gate to source voltage：vgss ±20 門源電壓這三種應用在各個領域都有詳細的介紹，這裡暫時不多寫了。以後有時間再總結。
p溝道
p溝道的管子使用的時候你只需要記住幾件事情：當柵極（g）的電壓比漏極的電壓(d)小5v以上（有的管子可以更低），管子就開始導通，壓差越大，g和s（源極）之間的電阻就越小，損耗也就越小，但是不能太大。還有一件事情就是g和s之間的最大耐壓，元器件手冊上有說明。最後就是g和s之間容許通過的最大電流，這個元器件手冊上寫的也很清楚。說的夠明白了。
n溝道結構上，n溝道耗盡型mos管與n溝道增強型mos管基本相似,其區別僅在於柵－源極間電壓vgs=0時，耗盡型mos管中的漏－源極間已有導電溝道產生，而增強型mos管要在vgs≥vt時才出現導電溝道。
原因是製造n溝道耗盡型mos管時，在sio2絕緣層中摻入了大量的鹼金屬正離子na+或k+(製造p溝道耗盡型mos管時摻入負離子)，如圖1(a)所示，因此即使vgs=0時，在這些正離子產生的電場作用下，漏－源極間的p型襯底表面也能感應生成n溝道(稱為初始溝道)，只要加上正向電壓vds，就有電流id。如果加上正的vgs，柵極與n溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子，溝道加寬，溝道電阻變小，id增大。反之vgs為負時，溝道中感應的電子減少，溝道變窄，溝道電阻變大，id減小。當vgs負向增加到某一數值時，導電溝道消失，id趨於零，管子截止，故稱為耗盡型。溝道消失時的柵-源電壓稱為夾斷電壓，仍用vp表示。與n溝道結型場效電晶體相同，n溝道耗盡型mos管的夾斷電壓vp也為負值，但是，前者只能在vgs<0的情況下工作。而後者在vgs=0，vgs>0，vp
MOS管的正確用法
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MOS管防止電源反接的原理
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