隨機訪問儲存器(ram)分為靜態隨機訪問儲存器（s
tatic random access memory - sram
）和動態隨機訪問儲存器(dynamic random access memory -dram)。
靜態隨機訪問儲存器
是隨機訪問儲存器
的一種。所謂的「靜態」，是指這種儲存器只要保持
通電，裡面儲存的資料就可以恆常保持
。相對之下，
動態隨機訪問儲存器
（dram）裡面所儲存的資料就需要周期性地更新。當電力**停止時，sram儲存的資料還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電後還能儲存資料的
rom或
快閃儲存器是不同的。sram由儲存矩陣、位址解碼器和讀/寫控制電路組成，容量的擴充套件有兩個方面：位數的擴充套件用晶元的併聯，字數的擴充套件可用外加解碼器控制晶元的片選輸入端
。sram中的每一bit
儲存在由4個
場效電晶體
（m1, m2, m3, m4）構成兩個交叉耦合的反相器中。另外兩個場效電晶體（m5, m6）是儲存基本單元到用於讀寫的位線（bit line）的控制開關，如下圖1所示。
圖1除了6管的sram，其他sram還有8管、10管甚至每個位元使用更多的電晶體的實現。這可用於實現多埠（port）的讀寫訪問，如視訊記憶體或者寄存
器堆的多口sram電路的實現。
一般說來，每個基本單元用的電晶體數量越少，其占用面積就越小。由於矽晶元（silicon wafer）的生產成本是相對固定的，因此sram基本單元的面積越小，在矽晶元上就可以製造更多的位元儲存，每位元儲存的成本就越低。
記憶體基本單元使用少於6個電晶體是可能的，如3管
甚至單管，但單管儲存單元是
dram
，不是sram。 s
ram是比dram更為昂貴，但更為快速、非常低功耗（特別是在空閒狀態）。因此sram首選用於頻寬要求高，或者功耗要求低，或者二者兼而有之。sram比起dram更為容易控制，也更是隨機訪問。由於複雜的內部結構，sram比dram的占用面積更大，
因而不適合用於更高儲存密度低成本的應用，如pc記憶體。
sram功耗取決於它的訪問頻率。如果用高頻率訪問sram，其功耗比得上dram。有的sram在全頻寬時功耗達到幾個瓦特量級。另一方面，sram如果用於溫和的時鐘頻率的微處理器，其功耗將非常小，在空閒狀態時功耗可以忽略不計—幾個微瓦特級別。
sram比較常見的應用是作為微控制器的ram或者cache（32bytes到128kb）
動態隨機訪問儲存器
是一種半導體儲存器
，主要的作用原理是利用
電容內儲存
電荷的多寡來代表乙個二進位制位元
（bit）是1還是0。由於在現實中電容會有漏電的現象，導致電位差不足而使記憶消失，因此除非電容經常周期性地充電，否則無法確保記憶長存。由於這種需要定時重新整理的特性，因此被稱為「動態」儲存器。相對來說，「靜態」儲存器（sram
）只要存入資料後，縱使不重新整理也不會丟失記憶。
與sram相比，dram的優勢在於結構簡單——每乙個位元的資料都只需乙個電容跟乙個電晶體
來處理。dram通常以乙個電容
和乙個電晶體
為乙個單元排成二維矩陣，圖2所示是乙個4×4的矩陣，現代的dram通常長和寬都在幾千個。相比之下，在sram上乙個位元通常需要六個電晶體。正因此緣故，dram擁有非常高的密度，單位體積的容量較高，因此成本較低。dram也有缺點，dram也有訪問速度較慢，耗電量較大的缺點。
與大部分的
隨機訪問儲存器
（ram）一樣，由於存在dram中的資料會在電力切斷以後很快消失，因此它屬於一種易失性儲存器（volatile memory）裝置。
圖 2
淺聊SRAM和DRAM的區別
sram和dram都是ram,中文名叫隨機儲存器，隨機是什麼意思呢？意思是，給定乙個位址，可以立即訪問到資料 訪問時間和位置無關 而不像咱們熟悉的磁帶，知道最後一首歌在最後的位置，卻沒法直接一下子跳到磁帶的最後部門，所以磁帶不是隨機儲存器，而是順序儲存器。來看看sram的電路 sram電路圖 上面是...
DRAM與SRAM的比較
一 前言 dram和sram都是ram,那他們有什麼區別呢？二 從基本電路單元的角度分析區別 類似於微觀吧 讓我們從基本電路單元開始分析吧！廢話不多說，直接上圖，下圖是sram的基本單元電路 它是由六個mos管構成。下圖是dram的基本單元電路 它是由乙個mos管和乙個電容構成。三 從計算機中ram...
SRAM和DRAM的區別及記憶體條的選擇
sram 靜態隨機儲存器 特點 容量小 功耗高 速度快 常用做快取cache dram 動態隨機儲存器 特點 資料保持時間短，使用電容儲存，隔一段時間重新整理一次，如果儲存單元沒有被重新整理，儲存的資訊就會丟失 關機就會丟失 常用作系統記憶體 只有dram需要重新整理 sram比dram的占用面積更...