SRAM與SDRAM的區別

sdram

sdram(synchronous dynamic random access memory)同步動態隨機訪問儲存器，同步是指memory工作需要步時鐘，內部的命令的傳送與資料的傳輸都以它為基準；動態是指儲存陣列需要不斷的重新整理來保證資料不丟失；隨機是指資料不是線性依次儲存，而是由指定位址進行資料讀寫。

sdram從發展到現在已經經歷了四代，分別是：第一代sdr sdram，第二代ddr sdram，第三代ddr2 sdram，***ddr3 sdram.

第一代與第二代sdram均採用單端（single-ended）時鐘訊號,第三代與***由於工作頻率比較快，所以採用可降低干擾的差分時鐘訊號作為同步時鐘。sdr sdram的時鐘頻率就是資料儲存的頻率，第一代記憶體用時鐘頻率命名，如pc100，pc133則表明時鐘訊號為100或133mhz，資料讀寫速率也為100,133mhz。

之後的第二，三，四代ddr（double data rate）記憶體則採用資料讀寫速率作為命名標準，並且在前面加上表示其ddr代數的符號，pc-即ddr，pc2=ddr2，pc3=ddr3。如pc2700是ddr333，其工作頻率是333/2=166mhz，2700表示頻寬為2.7g。

很多人將sdram錯誤的理解為第一代也就是 sdr sdram，並且作為名詞解釋，皆屬誤導,sdr不等於sdram。

simm：sigle in-line memory module,單列記憶體模組。記憶體模組就是我們常說的記憶體條，所謂單列是指模組電路板與主機板插槽的介面只有一列引腳（雖然兩側都有金手指）。

dimm：double in-line memory module，雙列記憶體模組。是我們常見的模組型別，所謂雙列是指模組電路板與主機板插槽的介面有兩列引腳，模組電路板兩側的金手指對應一列引腳。

rdimm：registered dimm，帶暫存器的雙線記憶體模組

so-dimm:筆記本常用的記憶體模組。

工作電壓： sdr：3.3v ddr：2.5v ddr2：1.8v ddr3：1.5v

sram

sram是英文static ram的縮寫，它是一種具有靜止訪問功能的記憶體，不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料。不像dram記憶體那樣需要重新整理電路，每隔一段時間，固定要對dram重新整理充電一次，否則內部的資料即會消失，因此sram具有較高的效能，但是sram也有它的缺點，即它的整合度較低，相同容量的dram記憶體可以設計為較小的體積，但是sram卻需要很大的體積。

一種是置於cpu與主存間的快取記憶體，它有兩種規格：一是固定在主機板上的快取記憶體（cache memory ）；二是插在卡槽上的coast（cache on a stick）擴充用的快取記憶體，另外在cmos晶元1468l8的電路裡，它的內部也有較小容量的128位元組sram，儲存我們所設定的配置資料。

sram顯然速度快，不需要重新整理的動作，但是也有另外的缺點，就是**高，體積大，所以在主機板上還不能作為用量較大的主存。現將它的特點歸納如下：

◎優點，速度快，不必配合記憶體重新整理電路，可提高整體的工作效率。

◎缺點，整合度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且**較高，少量用於關鍵性系統以提高效率。

◎sram使用的系統：

○cpu與主存之間的快取記憶體

○cpu內部的l1／l2或外部的l2快取記憶體

○cpu外部擴充用的coast快取記憶體

○cmos 146818晶元（rt＆cmos sram）

sram與sdram的比較：

sram是靠雙穩態觸發器來記憶資訊的；sdram是靠mos電路中的柵極電容來記憶資訊的。由於電容上的電荷會洩漏，需要定時給與補充，所以動態ram需要設定重新整理電路。但動態ram比靜態ram整合度高、功耗低，從而成本也低，適於作大容量儲存器。所以主記憶體通常採用sdram，而高速緩衝儲存器（cache）則使用sram，在訪問速度上，sram>sdram。另外，記憶體還應用於顯示卡、音效卡及cmos等裝置中，用於充當裝置快取或儲存固定的程式及資料。

SRAM與SDRAM的區別

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SRAM與SDRAM的比較

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