參考：is62wv51216all資料手冊 w9825g6kh資料手冊
靜態隨機訪問儲存器（static random-access memory，sram）是隨機訪問儲存器的一種。相對之下，動態隨機訪問儲存器（dram）裡面所儲存的資料就需要周期性地更新。然而，當電力**停止時，sram儲存的資料還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電後還能儲存資料的rom或快閃儲存器是不同的。stm32內部有sram和flash作為記憶體和程式儲存空間，但當程式比較大的時候就需要在晶元外部擴充套件儲存器，可以使用fsmc方式將sram外擴作為記憶體。
位址線i/o0-i/o15
data inputs/outputs
資料線cs1
chip enable input
晶元使能
oe#output enable input
輸出使能（讀使能）
we#write enable input
寫使能lb#
lower-byte control (i/o0-i/o7)
低八位使能
ub#upper-byte control (i/o8-i/o15)
高八位使能
ncno connection
無效連線
vddpower
電源gnd
ground
地
在sram 中，排成矩陣形式的儲存單元陣列的周圍是解碼器和與外部訊號的介面電路。儲存單元陣列通常採用正方形或矩陣的形式，以降低整個晶元面積並有利於資料的訪問。以乙個儲存容量為1mb位的sram為例，共需19條位址線來保證每個儲存單元都能被選中(2^19 =512k，每個儲存單元的資料是16位的)。is62wv51216晶元是不需要列位址的。
1)通過位址匯流排把要讀取的bit的位址傳送到對應的讀取位址引腳(這個時候/we引腳應該沒有啟用，所以sram知道它不應該執行寫入操作)。
2)啟用/cs選擇該sram晶元。
3)啟用/oe引腳讓sram知道是讀取操作。
第三步之後，要讀取的資料就會從dout引腳傳輸到資料匯流排。
1)通過位址匯流排確定要寫入資訊的位置(確定/oe引腳沒有被啟用）。
2)通過資料匯流排將要寫入的傳輸資料到dout引腳。
3)啟用/cs引腳選擇sram晶元。
4)啟用/we引腳通知sram知道要進行寫入操作。
經過上面的四個步驟之後，須要寫入的資料就已經放在了須要寫入的地方。
讀時序
寫時序
sdram（synchronous dynamic random access memory），同步動態隨機儲存器。同步是指記憶體工作需要同步時鐘，內部的命令的傳送與資料的傳輸都以它為基準；動態是指儲存陣列需要不斷的重新整理來保證資料不丟失；隨機是指資料不是線性依次儲存，而是自由指定位址進行資料讀寫。
sdram的內部是乙個儲存陣列，你可以把它想象成一張**。我們在向這個**中寫入資料的時候，需要先指定乙個行（row），再指定乙個列（column），就可以準確地找到所需要的「單元格」，這就是sdram定址的基本原理。
sdram總儲存容量 = l-bank的數量×行數×列數×儲存單元的容量
w9825g6kh這一款sdram的記憶體 = 4×2^13×2^9×16 = = 256mbit，即32mb。
時鐘cke
時鐘有效訊號
clk時鐘訊號
位址線a0-a12
行位址13位，列位址9位
ba0,ba1
bank選擇，共有4個bank
資料線i/o0 - i/o15
資料傳輸
控制命令
cs#晶元選擇
we#寫使能（低電平寫，高電平讀）
ras#
行位址選通
cas#
列位址選通
初始化輸入穩定期
所有l-bank預充電
8個重新整理周期
模式暫存器設定
讀寫行啟用
列讀寫預充電重新整理
模式暫存器在預設開機狀態未指定。需要遵循以下電源啟動和初始化順序，以確保裝置預先適應每個使用者的特定需求。
在通電期間，當輸入訊號處於「nop」狀態時，所有vdd和vddq引腳必須同時公升高到指定的電壓。任何輸入引腳或vdd電源電壓不能超過vdd + 0.3v。啟動後,需要乙個200us的輸入穩定器，後跟乙個預充電指令給所有bank預充電。為了防止在電源啟動期間dq匯流排上的資料爭用，需要在初始暫停期間將dqm和cke引腳保持高位。一旦所有的bank都已預充，須發出模式暫存器設定命令來初始化模式暫存器（mr，mode register）。在對模式暫存器進行程式設計之前或之後，還需要另外8個自動重新整理周期(cbr)，以確保正確的後續操作。
Sdram簡單的介紹
sdram synchronous dynamic random access memory，同步動態隨機儲存器 sdram的容量 下圖所示128mb 2m416 2m 行位址12位，列位址9位，則乙個bank的儲存單元的數量是2 12 2 9 4096 512 2097152 2097152 10...
SRAM和SDRAM的不同點
sdram同步動態隨機訪問儲存器，同步是指memory工作需要步時鐘，內部的命令的傳送與資料的傳輸都以它為基準 動態是指儲存陣列需要不斷的重新整理來保證資料不丟失 隨機是指資料不是線性依次儲存，而是由指定位址進行資料讀寫。sram是英文static ram的縮寫，它是一種具有靜止訪問功能的記憶體，不...
SRAM與SDRAM的比較
內存在電腦中起著舉足輕重的作用，一般採用半導體儲存單元，包括隨機儲存器 ram 唯讀儲存器 rom 以及快取記憶體 cache 按記憶體條的介面形式，常見記憶體條有兩種 單列直插記憶體條 simm 和雙列直插記憶體條 dimm simm記憶體條分為30線，72線兩種。dimm記憶體條與simm記憶體...