sram（靜態隨機儲存器）
特點：容量小、功耗高、速度快（常用做快取cache）
dram（動態隨機儲存器）
特點：資料保持時間短，使用電容儲存，隔一段時間重新整理一次，如果儲存單元沒有被重新整理，儲存的資訊就會丟失（關機就會丟失），常用作系統記憶體（只有dram需要重新整理）
sram比dram的占用面積更大，因而不適合用於更高儲存密度低成本的應用，如pc記憶體。
參考：設儲存空間為m * n位，現有儲存晶元是m * n位。
若m=m ，n>n，需要對晶元進行位擴充套件。
若m>m，n=n，需要對晶元進行字擴充套件。
若m>m，n>n，需要對晶元進行字位擴充套件。
（1）為什麼dram晶元的位址一般要分兩次接收？
dram晶元由於容量較大，一般採用雙位址解碼方式，分成行位址解碼和列位址解碼，所以位址一般要分兩次接收。
（2）若動態隨機儲存器2164裡包含4個128*128儲存矩陣，其重新整理原則是什麼？ d
a.各dram矩陣輪流重新整理
b.各dram矩陣同時重新整理，片內逐位重新整理
c.各dram矩陣同時重新整理，片內逐字重新整理
d.各dram矩陣同時重新整理，片內逐行重新整理
這裡的ddr3後面的字母「l」，代表的是low voltage的縮寫。ddr3l全稱是ddr3 low voltage，就是ddr3低電壓版，其工作電壓相比普通標準版的ddr3記憶體更低一些，功耗更低，但效能也略微更低一些。
ddr3,ddr4的區別
ddr3記憶體條
ddr4記憶體條
起始頻率
800mhz
2133mhz
最高頻率
3000mhz
3000mhz
最大單條容量
64gb
128gb
功耗1.5v
1.2v
不同耗電較多，而且記憶體條容易發熱降頻，影響效能。低電壓記憶體條一般主要用在筆記本、伺服器等裝置上，普通台式電腦很少使用這種低電壓記憶體條。
工作電壓多為甚至更低，更少的用電量和更小的發熱，提公升了記憶體條的穩定性。
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