slc英文全稱(single level cell——slc)即單層式儲存 。slc技術特點是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入資料時通過對浮置閘極的電荷加電壓，然後透過源極，即可將所儲存的電荷消除，通過這樣的方式，便可儲存1個資訊單元，這種技術能提供快速的程式程式設計與讀取，不過此技術受限於silicon efficiency的問題，必須要由較先進的流程強化技術(process enhancements)，才能向上提公升slc製程技術。
mlc英文全稱（multi level cell——mlc)即多層式儲存。英特爾（intel）在2023年9月最先開發成功mlc，其作用是將兩個單位的資訊存入乙個floating gate（快閃儲存器儲存單元中存放電荷的部分），然後利用不同電位（level）的電荷，通過記憶體儲存的電壓控制精準讀寫。mlc通過使用大量的電壓等級，每個單元儲存兩位資料，資料密度比較大。slc架構是0和1兩個值，而mlc架構可以一次儲存4個以上的值，因此，mlc架構可以有比較好的儲存密度。
與slc比較mlc的優勢：
slc架構是0和1兩個值，而mlc架構可以一次儲存4個以上的值，因此mlc架構的儲存密度較高，並且可以利用老舊的生產程備來提高產品的容量，無須額外投資生產裝置，擁有成本與良率的優勢。與slc相比較，mlc生產成本較低，容量大。如果經過改進，mlc的讀寫效能應該還可以進一步提公升。
與slc比較mlc的缺點：
mlc架構有許多缺點，首先是使用壽命較短，slc架構可以寫入10萬次，而mlc架構只能承受約1萬次的寫入。
其次就是訪問速度慢，在目前技術條件下，mlc晶元理論速度只能達到６mb左右。slc架構比mlc架構要快速三倍以上。
再者，mlc能耗比slc高，在相同使用條件下比slc要多15%左右的電流消耗。
雖然與slc相比，mlc缺點很多，但在單顆晶元容量方面，目前mlc還是佔了絕對的優勢。由於mlc架構和成本都具有絕對優勢，能滿足2gb、4gb、8gb甚至更大容量的市場需求。
2023年tlc架構正式問世，代表1個儲存器儲存單元可存放3位元，成本進一步大幅降低。x3(3-bit-per-cell)架構的tlc晶元技術是mlc和tlc技術的延伸，最早期nand flash技術架構是slc(single-level cell)，原理是在1個儲存器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到mlc(multi-level cell)技術接棒後，架構演進為1個儲存器儲存單元存放2位元。
tlc晶元雖然儲存容量變大，成本低廉許多，但因為效能也大打折扣，因此僅能用在低階的nand flash相關產品上，象是低速快閃記憶卡、小型記憶卡microsd或隨身碟等。
下面是slc、mlc、tlc三代快閃儲存器的壽命差異
slc 利用正、負兩種電荷 乙個浮動柵儲存1個bit的資訊，約10萬次擦寫壽命。
mlc 利用不同電位的電荷，乙個浮動柵儲存2個bit的資訊，約一萬次擦寫壽命，slc-mlc【容量大了一倍，壽命縮短為1/10】。
tlc 利用不同電位的電荷，乙個浮動柵儲存3個bit的資訊，約500-1000次擦寫壽命，mlc-tlc【容量大了1/2倍，壽命縮短為1/20】。
flash 白片 黑片 SLC MLC
flash快閃儲存器分類介紹 slc mlc 黑片 1 flash快閃儲存器是非易失性儲存器，這是相對於sdram等儲存器所說的。即儲存器斷電後，內部的資料仍然可以儲存。flash根據技術方式分為nand nor flash和ag and flash，而u盤和 中最常用的記憶體就是nand flas...
SLC MLC和TLC三者的區別
slc single levelcell 單層單元 即1bit cell，速度快壽命長，超貴 約mlc3倍以上的 約10萬次擦寫壽命 mlc multi levelcell 多層單元 即2bit cell，速度一般壽命一般，一般，約3000 10000次擦寫壽命 tlc trinary levelc...
TL認證和運作經典案例評選
評選背景 1 tl能力模型推出一年多時間以來，各地區 部門的tl認證和運作如火如荼，中開社上已有部分案例輸出 2 有部門在認證和運作上希望能借鑑優秀案例的經驗，並且更希望能得到本地其他部門的幫扶 今年7月份開始，在技術cop的牽線下，已有多個部門成功結對，需求方參考已認證部門的經驗，並結合本部門特點...