flash快閃儲存器分類介紹：slc/mlc/黑片
1 flash快閃儲存器是非易失性儲存器，這是相對於sdram等儲存器所說的。即儲存器斷電後，內部的資料仍然可以儲存。flash根據技術方式分為nand 、nor flash和ag-and flash，而u盤和***中最常用的記憶體就是nand flash。
nor 和nand是現在市場上兩種主要的非易失快閃儲存器技術。intel於2023年首先開發出nor flash技術，徹底改變了原先由eprom和eeprom一統天下的局面。緊接著，2023年，東芝公司發表了nand flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕鬆公升級。但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清nor 和nand快閃儲存器。大多數情況下快閃儲存器只是用來儲存少量的**，這時nor快閃儲存器更適合一些。而nand則是高資料儲存密度的理想解決方案。
nand flash也有幾種，根據技術方式，分為slc、mlc、mirrorbit等三種。slc是single level cell的縮寫，意為每個儲存單元中只有1bit資料。而mlc就是multi-level-cell，意為該技術允許2 bit的資料儲存在乙個儲存單元當中。而mirrorbit則是每個儲存單元中只有4bit資料。
slc的技術儲存比較穩定，slc的技術也 最為成熟。然而mlc可以在乙個單元中有2bit資料，這樣同樣大小的晶圓就可以存放更多的資料，也就是成本相同的情況下，容量可以做的更大，這也是同樣 容量，mlc**比slc低很多的原因。通常情況下相同容量的mlc和slc，mlc的**比slc低30％~40%，有些甚至更低。
區分slc(停產)和mlc（現在主流，分新老製程，60nm 和56/50nm ）
1、 看flash的型號：根據flash的命名規則，進行區分。
2、 測試讀寫速度：slc的非常快，mlc的很慢。
： 目 前市場上還流行黑片、白片的說法，這些都是downgrade flash的型別，由於flash製程和容量的提公升，內部的構成越來越複雜。而新的製程推出時，產品良率並不一定理想，那些不良的flash有些是容量不 足，有些是壽命不能達到要求，有些是測試不能通過，這些不能達到出廠要求的flash都被稱為downgrade flash。downgrade flash有些由廠家推向市場，比如spectech等就是鎂光(micron)的downgrade flash。而另外一部分作為廢品淘汰掉，但是利潤驅使，這些廢品也會低價被收購流入市場。一些廠家以各種方案的掃瞄工具(soting board)來檢驗出來哪些能夠使用。這些廠家收購flash按斤**，通過少則數十台soting board，所則上千臺soting board一同掃瞄，每天有上百k的產能。大部分downgrade flash被做成sd卡，u盤，極少數廠家用於生產***。downgrade flash的處理方式多數是降低容量**。可是不論怎樣處理，都還是存在問題隱患。但由於**低廉，downgrade flash的市場正在進一步成長。大家購買產品時可要注意了！ 現在還有很多的主控商進行對黑片針對性的相容。
市場上問題u盤的來路：
1， 快閃儲存器顆粒採用白板晶元，也就是一些工廠不合格的快閃儲存器顆粒，通過非正規渠道進入市場，將顆粒打磨好編號後使用，一般很難查詢到上面的顆粒編號出處，而採用了 這樣顆粒的u盤，使用起來極為不穩定，在同一臺電腦上拷貝東西可能不會出現問題，但是在另外一台電腦上可能會出現打不開的情況。
2，「公升 級」u盤，所謂「公升級」，並非更換速度更快的控制晶元，也非更換更大容量的快閃儲存器顆粒，而是利用專門的軟體對u盤資訊進行修改，usb1.1的介面可以修改 顯示成usb2.0，128m容量也可以修改顯示成1g，不過這些都只是表面上看到的資訊，而實際上其效能和容量是壓根不會發生變法的。
3，採用黑晶元，當一些快閃儲存器顆粒損壞後，只有部分容量可以使用，奸商們便打起這些理應銷毀顆粒的主意，採用遮蔽損壞區域，或者焊上數顆損壞的顆粒的手段，來達到一定的容量，採用了這種黑晶元的u盤不但傳輸速度會非常慢，而且出問題的機率相當之大。
4、 用硬體方式來改變。硬體就是利用電路將小容量的u盤人為地讓電腦識別成大容量的u盤，因為u盤是必須要用到儲存晶元，也就是通常說的快閃儲存器，快閃儲存器有幾個腳是 專門用來檢測容量的，通過更改這幾個腳的電路是可以造成電腦識別故障。不過這種方式需要的技術相對軟體來得高，也不太易於適用。
三 星、東芝、現代、瑞薩等晶元廠商在生產nand flash時，良品率沒有可能是100%的，晶圓生產下來都分等級的，比如瑞薩，分99%容量、97%容量、93%容量等等。事實上，良品率並不是非常 高，不良晶圓的量還是比較大，主要問題出在壞塊數量、容量等方面。過去，nand flash晶元產能緊張，全球需求吃緊，生產工藝也比較差，次級品的量很大，這些次級品都被全球前幾大儲存模組生產廠商包下來，利用他們的技術把壞塊遮蔽 了，並防止壞塊擴散，把這些晶元大量用在儲存卡上。由於這些都是全球頂尖的模組大廠，因此即使用上次級品，但是質量依然過硬，而且這種晶元成本很低，不過 一般的品牌、工廠都買不到，也就成為這些大廠得到「大者恆大」的保證。
白 黑，白天吃白片，晚上吃黑片
白加黑，自行補腦 今天我來講講怎麼快速手工找個白貓 一直打算寫個工具快速發現，一直沒騰出空來，專案完成了一小部分，還在意淫階段 目標 1帶證書 殺軟，微軟，大廠家 2 體積小看自己喜好了 盡量越小越好，最好各個系統都帶的最好 3 需要的dll少 不包括系統提供，最好只有乙個 4 exe所需dll函式...
STM32 片上Flash 操作
之前iap時候記錄過一些，今天對特定地方寫又加深了印象，寫與擦除都需要先unclock 1 讀取指定位址的半字 16位資料 2 faddr 讀位址 此位址必須為2的倍數 3 返回值 對應資料.4u16 stmflash readhalfword u32 faddr 5stmflash readhal...
如何編寫C2000片內Flash？
dsp中的flash的編寫方法有三中 1.通過 器編寫 在我們的網頁上有相關的軟體，在銷售 器時我們也提供相關軟體。其中lf240x的編寫可以在 ccs中加入乙個外掛程式，f24x的編寫需要在windows98下的dos窗中進行。具體步驟見軟體中的readme。有幾點需要注意 a.必須為mc方式 b...