eeprom,eprom,flash都是基於一種浮柵管單元(floating gate transister)的結構。eprom的浮柵處於絕緣的二氧化矽層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出，eeprom的單元是由flotox(floating- gate tuneling oxide transister)及乙個附加的transister組成，由於flotox的特性及兩管結構，所以可以單元讀/寫。技術上，flash是結合eprom和eeprom技術達到的，很多flash使用雪崩熱電子注入方式來程式設計，擦除和eeprom一樣用 fowler-nordheim tuneling。但主要的不同是，flash對晶元提供大塊或整塊的擦除，這就降低了設計的複雜性，它可以不要 eeprom單元裡那個多餘的tansister，所以可以做到高整合度，大容量，另flash的浮柵工藝上也不同，寫入速度更快。
其實對於使用者來說，eeprom和flash 的最主要的區別就是：
1．eeprom 可以按「位」擦寫，而flash 只能一大片一大片的擦。
2．eeprom 一般容量都不大，如果大的話，eeprom相對與flash 就沒有**上的優勢了。市面上賣的stand alone 的eerpom 一般都是在64kbit 以下，而flash 一般都是8meg bit 以上（nor 型）。
3．讀的速度的話，應該不是兩者的差別，只是eerpom一般用於低端產品，讀的速度不需要那麼快，真要做的話，其實也是可以做的和flash差不多。
4．因為eeprom的儲存單元是兩個管子而flash 是乙個（sst的除外，類似於兩管），所以cycling 的話，eeprom比flash 要好一些，到1000k次也沒有問題的。
總的來說，對與使用者來說，eeprom和flash沒有大的區別，只是eeprom是低端產品，容量低，**便宜，但是穩定性較flash要好一些。
但對於eeprom和flash的設計來說，flash則要難的多，不論是從工藝上的還是從外圍電路設計上來說。
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flash memory指的是「快閃儲存器」，所謂「快閃儲存器」，它也是一種非易失性的記憶體，屬於eeprom的改進產品。它的最大特點是必須按塊(block)擦除(每個區塊的大小不定，不同廠家的產品有不同的規格)， 而eeprom則可以一次只擦除乙個位元組(byte)。目前「快閃儲存器」被廣泛用在pc機的主機板上，用來儲存bios程式，便於進行程式的公升級。其另外一大應用領域是用來作為硬碟的替代品，具有抗震、速度快、無雜訊、耗電低的優點，但是將其用來取代ram就顯得不合適，因為ram需要能夠按位元組改寫，而flash rom做不到。
EEPROM和flash的區別
之前對各種儲存器一直不太清楚，今天總結一下。儲存器分為兩大類 ram和rom。ram就不講了，今天主要討論rom。rom最初不能程式設計，出廠什麼內容就永遠什麼內容，不靈活。後來出現了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認倒霉。人類文明不斷進步，終於出現了可多次擦除寫入的eprom...
EEPROM和flash的區別
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EEPROM和flash的區別
原載 之前對各種儲存器一直不太清楚，今天總結一下。儲存器分為兩大類 ram和rom。ram就不講了，今天主要討論rom。rom最初不能程式設計，出廠什麼內容就永遠什麼內容，不靈活。後來出現了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認倒霉。人類文明不斷進步，終於出現了可多次擦除寫入的ep...