儲存器是用來儲存程式和各種資料資訊的記憶部件。儲存器可分為主儲存器(簡稱主存或記憶體)和輔助儲存器(簡稱輔存或外存)兩大類。和cpu直接交換資訊的是主存。主存的工作方式是按儲存單元的位址存放或讀取各類資訊，統稱訪問儲存器。計算機的儲存器可分成記憶體儲器和外儲存器。記憶體儲器在程式執行期間被計算機頻繁地使用，並且在乙個指令週期期間是可直接訪問的。外儲存器要求計算機從乙個外貯藏裝置例如磁帶或磁碟中讀取資訊。
儲存器分為易失性儲存器和非易失性儲存器。易失性儲存器分sram和dram；非易失性儲存器以nor-flash和nand-flash為典型代表。
dram cell結構由1個mos和1個電容組成，由電容是否帶電荷來區分0和1。不過，由於電容漏電流的原因，dram無法長時間儲存資料，需要「動態」重新整理（重新整理周期在亞ms級別）。
sram cell有多種不同結構，下圖為6個mos組成的sram cell。m1/m2、m3/m4分別為2個反相器，在供電情形下可以鎖住0/1資訊，不需動態重新整理。
不管是nor-flash還是nand flash，單位cell的結構都類似如下，為雙gate的mos結構。中間一層floating gate無漏電存在，可以儲存住電荷而實現非易失。
floating gate上電荷轉移需要外加電壓實現。在control gate和溝道之間施加的反向電壓可以去除電荷，也即擦除erase操作。在control gate和溝道或source 之間施加正向電壓可以將電荷轉移到floating gate上。
通過nor flash的結構原理圖，可見每個bit line下的基本儲存單元是併聯的，當某個word line被選中後，就可以實現對該word的讀取，也就是可以實現位讀取（即random access），且具有較高的讀取速率。
（1）基本儲存單元的併聯結構決定了金屬導線占用很大的面積，因此nor flash的儲存密度較低，無法適用於需要大容量儲存的應用場合，即適用於code-storage，不適用於data-storage。
（2）基本儲存單元的併聯結構決定了nor flash具有儲存單元可獨立定址且讀取效率高的特性，因此適用於code-storage，且程式可以直接在nor 中執行（即具有ram的特性）。
（3）nor flash寫入採用了熱電子注入方式，效率較低，因此nor寫入速率較低，不適用於頻繁擦除/寫入場合。
通過nand flash的結構原理圖，可見每個bit line下的基本儲存單元是串聯的，nand讀取資料的單位是page，當需要讀取某個page時，flash 控制器就不在這個page的word line施加電壓，而對其他所有page的word line施加電壓（電壓值不能改變floating gate中電荷數量），讓這些page的所有基本儲存單元的d和s導通，而我們要讀取的page的基本儲存單元的d和s的導通/關斷狀態則取決於floating gate是否有電荷，有電荷時，bit line讀出『0』，無電荷bit line讀出『1』，實現了page資料的讀出，可見nand無法實現位讀取（即random access），程式**也就無法在nand上執行。
基本儲存單元的串聯結構減少了金屬導線占用的面積，die的利用率很高，因此nand flash儲存密度高，單bit成本低。適用於需要大容量儲存的應用場合，即適用於data-storage。
從單bit成本來看：nand＜nor＜dram＜sram
從讀取速度來看：nand＜nor＜dram＜sram
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