由於晶元工藝不斷改進，從0.35um、0.18um、0.13um到目前的40nm甚至28nm，晶元的核心電壓也在不斷降低，從3.3v、1.8v、1.5v到40nm器件的0.9v，晶元對電源的波動越來越敏感。
與si相比，電源完整性pi是乙個比較新的概念，實際上pi也屬於si研究的範疇，它和si之間的關係非常密切。
保持電源的完整性，就是保持電源的穩定供電。在實際系統中，要做到這一點並不容易，因為系統中總是存在著不同頻率的雜訊。
首先需要把電源分配系統與外界很好的隔離起來，電源系統與外界主要的連線途徑是電壓調整模組，通常總是需要在電壓調整模組的附近使用t型或者pi型濾波網路。以放置低頻雜訊串入。同時大電容也提供了乙個電荷的蓄水池，及時提供電壓調整模組所不能供給的電流。
另外，系統內部的一些元件會產生高頻的電源雜訊，例如在數字邏輯門在翻轉的時候，瞬間會從電源平面汲取一定的電流。電流值雖然不是很大，但是速度很快，如果是電源分配系統的阻抗，電源平面不能及時提供這些電流，那麼就會在這裡產生翻轉雜訊。如果pcb去耦處理不當，這個電源雜訊就會波及整個電源地平面。
與此相類似，當訊號線穿過乙個過孔，切換訊號的參考平面時，例如由地平面切換到電源平面，相應的會在過孔附近的電源平面和地平面之間形成乙個迴路電流，這個迴路電流同樣會成為系統雜訊，波及整個電源分布系統。
同步開關雜訊
同步開關雜訊(ssn)是指由於多個輸出同時發生翻轉而引起的感應雜訊。
要搞清楚ssn的原理，必須從不同的層面來分析。下圖所示，電源分配系統的感抗表示，同時也把矽片到pcb電源之間的連線感抗也表示出來。
ssn模型
從晶元級來考慮，如果多個io同時由「1」到「0」翻轉，會在地腳上產生較大的變化電流，上圖實線箭頭部分，由於晶元電感的存在，而電感的特性是產生乙個反向電動勢來抵抗電流的變化，因此在矽片內部的地平面和單板地之間將形成一定的電壓波動，這種現象又稱為地彈(ground-bounce)。
要知道pcb的地和矽片的地之間的電壓差關係，首先要分析輸出訊號的電壓變化。當輸出訊號由「1」翻轉到「0」時，在輸出驅動器的下拉mos管和晶元電感上將產生乙個相應的電流變化(i)，這個電流滿足i=-c*(dv/dt)，這裡的負號表示電流的方向(灌電流)。如下圖i的變化情況，首先由0變為最大值，然後再回到0。
ssn產生原理
這樣的電流變化會在「晶元電感」兩端產生乙個電壓的波動(v_ldie) ，根據電感的特性，這個電壓值可以表示為v_ldie=ldie*(di/dt)，如上圖。
因此，在矽片地和pcb地之間就有乙個v_ldie的電壓差，假設pcb地保持不變，矽片地上就有乙個相應的雜訊訊號，這個雜訊訊號會對輸出0的靜態訊號造成影響，也有可能使得輸入訊號誤取樣，如下圖，ssn對輸出低訊號的影響。
ssn對輸出低訊號的影響
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