flash是用來儲存**的，在執行過程中不能改；eeprom是用來儲存使用者資料，執行過程中可以改變，比如乙個時鐘的鬧鈴時間初始化設定為12：00，後來在執行中改為6：00，這是儲存在eeprom裡，不怕掉電，就算重新上電也不需要重新調整到6：00在晶元的內電路中，flash和eeprom不僅電路不同，位址空間也不同，操作方法和指令自然也不同，不論馮諾伊曼結構還是哈佛結構都是這樣。技術上，程式儲存器和非易失資料儲存器都可以只用falsh結構或eeprom結構，甚至可以用「變通」的技術手段在程式儲存區模擬「資料儲存區」，但就算如此，概念上二者依然不同，這是基本常識問題。兩者都是非易失性儲存器
flash的全稱是flash eeprom，但跟常規eeprom的操作方法不同
flash和eeprom的最大區別是flash按扇區操作，eeprom則按位元組操作，二者定址方法不同，儲存單元的結構也不同，flash的電路結構較簡單，同樣容量佔晶元面積較小，成本自然比eeprom低，因而適合用作程式儲存器，eeprom則更多的用作非易失的資料儲存器。當然用flash做資料儲存器也行，但操作比eeprom麻煩的多，所以更「人性化」的mcu設計會整合flash和eeprom兩種非易失性儲存器，而廉價型設計往往只有flash，早期可電擦寫型mcu則都是eeprm結構，現在已基本上停產了。
一般來說eeprom中存放開機時用到的引數，不可丟失的變數等，而flash中會存放程式，記錄檔案等。
現在的微控制器,ram主要是做執行時資料儲存器,flash主要是程式儲存器,eeprom主要是用以在程式執行儲存一些需要掉電不丟失的資料.
另外，一些變數，都是放到ram裡的，一些初始化資料比如液晶要顯示的內容介面，都是放到flash區里的（也就是以前說的rom區），eeprom可用可不用，主要是存一些執行中的資料，掉電後且不丟失
EEPROM與FLASH的區別
儲存器分為兩大類 ram和rom。ram就不講了，今天主要討論rom。rom最初不能程式設計，出廠什麼內容就永遠什麼內容，不靈活。後來出現了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認倒霉。人類文明不斷進步，終於出現了可多次擦除寫入的eprom，每次擦除要把晶元拿到紫外線上照一下，想一下...
EEPROM 和 FLASH的區別
eeprom,eprom,flash都是基於一種浮柵管單元 floating gate transister 的結構。eprom的浮柵處於絕緣的二氧化矽層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出，eeprom的單元是由flotox floating gate tuneling oxide transi...
EEPROM和flash的區別
之前對各種儲存器一直不太清楚，今天總結一下。儲存器分為兩大類 ram和rom。ram就不講了，今天主要討論rom。rom最初不能程式設計，出廠什麼內容就永遠什麼內容，不靈活。後來出現了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認倒霉。人類文明不斷進步，終於出現了可多次擦除寫入的eprom...