FLASH和EEPROM的區別

flash和eeprom的最大區別是flash按扇區操作，eeprom則按位元組操作，二者定址方法不同，儲存單元的結構也不同，flash的電路結構較簡單，同樣容量佔晶元面積較小，成本自然比eeprom低，因而適合用作程式儲存器，eeprom則更多的用作非易失的資料儲存器。當然用flash做資料儲存器也行，但操作比eeprom麻煩的多，所以更「人性化」的mcu設計會整合flash和eeprom兩種非易失性儲存器，而廉價型設計往往只有flash，早期可電擦寫型mcu則都是eeprm結構，現在已基本上停產了。

現在的微控制器,ram主要是做執行時資料儲存器,flash主要是程式儲存器,eeprom主要是用以在程式執行儲存一些需要掉電不丟失的資料.

ram有兩大類：

一種稱為靜態ram（static ram/sram），sram速度非常快，是目前讀寫最快的儲存裝置了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如cpu的一級緩衝，二級緩衝。

另一種稱為動態ram（dynamic ram/dram），dram保留資料的時間很短，速度也比sram慢，不過它還是比任何的rom都要快，但從**上來說dram相比sram要便宜很多，計算機記憶體就是dram的。

dram分為很多種，常見的主要有fpram/fastpage、edoram、sdram、ddr ram、rdram、sgram以及wram等，這裡介紹其中的一種ddr ram。

ddr ram（date-rate ram）也稱作ddr sdram，這種改進型的ram和sdram是基本一樣的，不同之處在於它可以在乙個時鐘讀寫兩次資料，這樣就使得資料傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的記憶體，而且它有著成本優勢，事實上擊敗了intel的另外一種記憶體標準－rambus dram。在很多高階的顯示卡上，也配備了高速ddr ram來提高頻寬，這可以大幅度提高3d加速卡的畫素渲染能力。

rom也有很多種，prom是可程式設計的rom，prom和eprom（可擦除可程式設計rom）兩者區別是，prom是一次性的，也就是軟體灌入後，就無法修改了，這種是早期的產品，現在已經不可能使用了，而eprom是通過紫外光的照射擦出原先的程式，是一種通用的儲存器。另外一種eeprom是通過電子擦出，**很高，寫入時間很長，寫入很慢。

手機軟體一般放在eeprom中，我們打**，有些最後撥打的號碼，暫時是存在sram中的，不是馬上寫入通過記錄（聯絡歷史儲存在eeprom中），因為當時有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓使用者忍無可忍的。

flash儲存器又稱快閃儲存器，它結合了rom和ram的長處，不僅具備電子可擦除可程式設計（eeprom）的效能，還不會斷電丟失資料同時可以快速讀取資料（nvram的優勢）

rom（eprom）作為它們的儲存裝置，然而近年來 flash全面代替了rom（eprom）在嵌入式系統中的地位，用作儲存bootloader以及作業系統或者程式**或者直接當硬碟使用（u盤）。

目前flash主要有兩種nor flash和nadn flash。

nor flash

nor flash的讀取和我們常見的sdram的讀取是一樣，使用者可以直接執行裝載在nor flash裡面的**，這樣可以減少sram的容量從而節約了成本。（一般程式執行需要將程式從eprom中讀取到ram中然後執行，但是nor flash可以直接讀取執行。）

nor flash帶有sram介面，有足夠的位址引腳來定址，可以很容易地訪問其內部的每乙個位元組。nor flash佔據了容量為1～16mb快閃儲存器市場的大部分。

nand flash

nand flash沒有採取記憶體的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個位元組，採用這種技術的flash比較廉價。使用者不能直接執行nand flash上的**，因此好多使用nand flash的開發板除了使用nand flah以外，還作上了一塊小的nor flash來執行啟動**。

nand結構能提供極高的單元密度，可以達到高儲存密度，並且寫入和擦除的速度也很快。應用nand的困難在於flash的管理和需要特殊的系統介面。

一般小容量的用nor flash，因為其讀取速度快，多用來儲存作業系統等重要資訊，而大容量的用nand flash。

1、效能比較:

● nor的讀速度比nand稍快一些。

● nand的寫入速度比nor快很多。

● nand的4ms擦除速度遠比nor的5s快。

● 大多數寫入操作需要先進行擦除操作。

● nand的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。

nor flash帶有sram介面，有足夠的位址引腳來定址，可以很容易地訪問其內部的每乙個位元組。

nand器件使用複雜的i/o口來序列地訪問資料，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、位址和資料資訊。

nor flash佔據了容量為1～16mb快閃儲存器市場的大部分，而nand flash只是用在8～128mb的產品當中，這也說明nor主要應用在**儲存介質中，nand適合於資料儲存。

a) 壽命(耐用性)

在nand快閃儲存器中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而nor的擦寫次數是十萬次。nand儲存器除了具有10比1的塊擦除週期優勢，典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍，每個nand儲存器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。

b) 位交換

在某些情況下(很少見，nand發生的次數要比nor多)，乙個位元(bit)位會發生反轉或被報告反轉了。

位反轉的問題更多見於nand快閃儲存器，nand的**商建議使用nand快閃儲存器的時候，同時使用edc/ecc演算法。

這個問題對於用nand儲存多**資訊時倒不是致命的。當然，如果用本地儲存裝置來儲存作業系統、配置檔案或其他敏感資訊時，必須使用edc/ecc系統以確保可靠性。

可以非常直接地使用基於nor的快閃儲存器，可以像其他儲存器那樣連線，並可以在上面直接執行**。

由於需要i/o介面，nand要複雜得多。各種nand器件的訪問方法因廠家而異。

EEPROM 和 FLASH的區別

eeprom,eprom,flash都是基於一種浮柵管單元 floating gate transister 的結構。eprom的浮柵處於絕緣的二氧化矽層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出，eeprom的單元是由flotox floating gate tuneling oxide transi...

EEPROM和flash的區別

之前對各種儲存器一直不太清楚，今天總結一下。儲存器分為兩大類 ram和rom。ram就不講了，今天主要討論rom。rom最初不能程式設計，出廠什麼內容就永遠什麼內容，不靈活。後來出現了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認倒霉。人類文明不斷進步，終於出現了可多次擦除寫入的eprom...

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