之前對各種儲存器一直不太清楚，今天總結一下。
儲存器分為兩大類：ram和rom。
ram就不講了，今天主要討論rom。
rom最初不能程式設計，出廠什麼內容就永遠什麼內容，不靈活。後來出現了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認倒霉。人類文明不斷進步，終於出現了可多次擦除寫入的eprom，每次擦除要把晶元拿到紫外線上照一下，想一下你往微控制器上下了乙個程式之後發現有個地方需要加一句話，為此你要把微控制器放紫外燈下照半小時，然後才能再下一次，這麼折騰一天也改不了幾次。歷史的車輪不斷前進，偉大的eeprom出現了，拯救了一大批程式設計師，終於可以隨意的修改rom中的內容了。
eeprom的全稱是「電可擦除可程式設計唯讀儲存器」，即electrically erasable programmable read-only memory。是相對於紫外擦除的rom來講的。但是今天已經存在多種eeprom的變種，變成了一類儲存器的統稱。
狹義的eeprom：
這種rom的特點是可以隨機訪問和修改任何乙個位元組，可以往每個bit中寫入0或者1。這是最傳統的一種eeprom，掉電後資料不丟失，可以儲存100年，可以擦寫100w次。具有較高的可靠性，但是電路複雜/成本也高。因此目前的eeprom都是幾十千位元組到幾百千位元組的，絕少有超過512k的。
flash:
flash屬於廣義的eeprom，因為它也是電擦除的rom。但是為了區別於一般的按位元組為單位的擦寫的eeprom，我們都叫它flash。
flash做的改進就是擦除時不再以位元組為單位，而是以塊為單位，一次簡化了電路，資料密度更高，降低了成本。上m的rom一般都是flash。
flash分為nor flash和nand flash。nor flash資料線和位址線分開，可以實現ram一樣的隨機定址功能，可以讀取任何乙個位元組。但是擦除仍要按塊來擦。
nand flash同樣是按塊擦除，但是資料線和位址線復用，不能利用位址線隨機定址。讀取只能按頁來讀取。（nandflash按塊來擦除，按頁來讀，norflash沒有頁）
由於nandflash引腳上覆用，因此讀取速度比nor flash慢一點，但是擦除和寫入速度比nor flash快很多。nand flash內部電路更簡單，因此資料密度大，體積小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12m的flash多是nor型的。
使用壽命上，nand flash的擦除次數是nor的數倍。而且nand flash可以標記壞塊，從而使軟體跳過壞塊。nor flash 一旦損壞便無法再用。
因為nor flash可以進行位元組定址，所以程式可以在nor flash中執行。嵌入式系統多用乙個小容量的nor flash儲存引導**，用乙個大容量的nand flash存放檔案系統和核心。
EEPROM 和 FLASH的區別
eeprom,eprom,flash都是基於一種浮柵管單元 floating gate transister 的結構。eprom的浮柵處於絕緣的二氧化矽層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出，eeprom的單元是由flotox floating gate tuneling oxide transi...
EEPROM和flash的區別
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