#####資料eeprom程式設計功能#####[..]擦除或程式設計的任何操作都應遵循以下步驟：
（＃）呼叫@ref hal_flashex_dataeeprom_unlock（）函式啟用資料eeprom訪問
和flash程式擦除控制暫存器訪問。
（＃）呼叫所需的功能來擦除或程式設計資料。
（＃）呼叫@ref hal_flashex_dataeeprom_lock（）來禁用資料eeprom訪問
和flash程式擦除控制暫存器訪問（推薦
保護data_eeprom免受可能的意外操作）。
解鎖寫入資料（擦除也是寫入資料只不過寫的是0x00）
上鎖（建議上鎖，其實沒啥用，不用問題不是很大）
void program_eeprom(void)
擦除也是寫入
/**
* @brief erase a word in data memory.
* @param address specifies the address to be erased.
* @param typeerase indicate the way to erase at a specified address.
* this parameter can be a value of @ref flash_type_program
* @note to correctly run this function, the @ref hal_flashex_dataeeprom_unlock() function
* must be called before.
* call the @ref hal_flashex_dataeeprom_lock() to the data eeprom access
* and flash program erase control register access(recommended to protect
* the data_eeprom against possible unwanted operation).
* @retval hal_statustypedef hal status
*/hal_statustypedef hal_flashex_dataeeprom_erase(uint32_t typeerase, uint32_t address)
if(typeerase == flash_typeerasedata_halfword)
if(typeerase == flash_typeerasedata_byte)
status = flash_waitforlastoperation(flash_timeout_value);
}
/* return the erase status */
return status;
}
讀取資料參照上面擦寫部分，只需要反過來就好了。
data_8bit = *(__io uint8_t *) address；
data_16bit = *(__io uint16_t *) address；
data_32bit = *(__io uint32_t *) address；
flash也可以用一樣的函式嗎？
個人覺得不行，flash是按頁分的，eeprom可以按位元組編輯，所以肯定有區別。（未進行實驗，也沒什麼意義）
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