來自小不懂的不懂的網易blog：
nand flash的定址方式和nand flash的memory組織方式緊密相關。nand flash的資料是以bit的方式儲存在memory cell，一般來說，乙個cell中只能儲存乙個bit。這些cell以8個或者16個為單位，連成bit line，形成所謂的byte(x8)/word(x16)，這就是nand device的位寬。
如果nand flash的容量是256mbit以下，那麼，block adress最高位只到bit24，因此定址只需要3步。
nandflash記憶體詳解
nand flash ecc校驗原理與實現
nand flash 讀寫操作
1 頁讀 如下所示，先輸入讀命令 0x00 然後輸入5個位址，分為2個列位址 頁內位址 和3個行位址 頁和block位址 再輸入讀確認位址0x30，nand硬體會自動從指定的頁的主儲存區讀資料到頁快取 頁暫存器 此時r b 為低電平，當內部讀完成後，r b 恢復為高電平，此時便可以通過nfc的資料暫...
定址 定址方式
定址方式就是處理器根據指令中給出的位址資訊來尋找實體地址的方式。在儲存器中，運算元或指令字寫入或讀出的方式，有位址指定方式 相聯儲存方式和堆疊訪問方式。幾乎所有的計算機，在記憶體中都採用位址指定方式。當採用位址指定方式時，形成運算元或指令位址的方式稱為定址方式。定址方式分為兩類，即指令定址方式和資料...
nand flash基礎 讀寫擦操作
當對乙個cell進行讀操作時，對相應的wordline施加vread電壓，對其他wordline施加vpass電壓，如上圖所示。狀態為 0 的cell 被program的cell 的vth均大於0，狀態為 1 的cell 被erase的cell 的vth均小於1，且所有cell的vth有乙個上限，所...