在系統公升級過程中往往需要對flash進行裸資料的標記讀寫，對於nand flash 的系統不能像nor flash一樣在任意位置上進行裸資料讀寫，如果nand flash存在壞塊，並且正好處於讀寫的位置上，資料就比較容易出錯了。nand flash 存在壞塊特性，往往在底層驅動去對壞塊的規避處理（沒有很好的處理，沒有把非壞塊物理位址對映成連續的虛擬位址，虛擬位址是沒有壞塊的連續位址，讀寫介面只操作虛擬位址而非實體地址），但是對於非檔案系統的nand flash往往因為壞塊的存在，產生讀寫位址的偏差導致裸資料讀寫的錯誤，因此nand flash 不建議採用離散增量寫的方式，避免因為壞塊的存在，實際位址發生偏差。對於小於乙個block的資料，可能不存在影響，但對於對於乙個block的資料，那麼將會因為位址的偏差，可能產生因為壞塊讀寫資料的非一致性。
規避的方法如下：
第一種，小於乙個block的資料情況。可以採用離散增量寫，但是必須當成nor flash的特性，不能在連續兩個block上增量讀寫；至少不能根據具體位址進行讀寫；
第二種，對於大於乙個block的資料，不能分塊進行讀寫，必須一次性讀，一次性寫！
nand flash 讀寫操作
1 頁讀 如下所示，先輸入讀命令 0x00 然後輸入5個位址，分為2個列位址 頁內位址 和3個行位址 頁和block位址 再輸入讀確認位址0x30，nand硬體會自動從指定的頁的主儲存區讀資料到頁快取 頁暫存器 此時r b 為低電平，當內部讀完成後，r b 恢復為高電平，此時便可以通過nfc的資料暫...
NAND FLASH 讀寫定址方式
來自小不懂的不懂的網易blog nand flash的定址方式和nand flash的memory組織方式緊密相關。nand flash的資料是以bit的方式儲存在memory cell，一般來說，乙個cell中只能儲存乙個bit。這些cell以8個或者16個為單位，連成bit line，形成所謂的...
nand flash基礎 讀寫擦操作
當對乙個cell進行讀操作時，對相應的wordline施加vread電壓，對其他wordline施加vpass電壓，如上圖所示。狀態為 0 的cell 被program的cell 的vth均大於0，狀態為 1 的cell 被erase的cell 的vth均小於1，且所有cell的vth有乙個上限，所...