2009-01-15 16:51 321人閱讀
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s3c2410讀寫nand flash分析
一、結構分析
s3c2410處理器整合了8位nandflash控制器。目前市場上常見的8位nandflash有三星公司的k9f1208、k9f1g08、k9f2g08等。k9f1208、k9f1g08、k9f2g08的資料頁大小分別為512byte、2kbyte、2kbyte。它們在定址方式上有一定差異，所以程式**並不通用。本文以s3c2410處理器和k9f1208系統為例，講述nandflash的讀寫方法。
nandflash的資料是以bit 的方式儲存在memory cell裡的，一般來說，乙個cell 中只能儲存乙個bit，這些cell 以8 個或者16 個為單位，連成bit line，形成所謂的byte(x8)/word(x16)，這就是nand device 的位寬。這些line 組成page， page 再組織形成乙個block。k9f1208的相關資料如下：
1block=32page；1page=528byte=512byte(main area)+16byte(spare area)。
總容量為=4096（block數量）*32（page/block）*512(byte/page)=64mbyte
column address表示資料在半頁中的位址，大小範圍0~255，用a[0:7]表示；
halfpage pointer表示半頁在整頁中的位置，即在0~255空間還是在256~511空間，用a[8]表示；
page address表示頁在塊中的位址，大小範圍0~31，用a[13:9]表示；
block address表示塊在flash中的位置，大小範圍0~4095，a[25:14] 表示；
二、讀操作過程
k9f1208的定址分為4個cycle。分別是：a[0:7]、a[9:16]、a[17:24]、a[25]。
讀操作的過程為: 1、傳送讀取指令；2、傳送第1個cycle位址；3、傳送第2個cycle位址；4、傳送第3個cycle位址；5、傳送第4個cycle位址；6、讀取資料至頁末。
k9f1208提供了兩個讀指令，『0x00』、『0x01』。這兩個指令區別在於『0x00』可以將a[8]置為0，選中上半頁；而『0x01』可以將a[8]置為1，選中下半頁。
雖然讀寫過程可以不從頁邊界開始，但在正式場合下還是建議從頁邊界開始讀寫至頁結束。下面通過分析讀取頁的**，闡述讀過程。
static void readpage(u32 addr, u8 *buf) //addr表示flash中的第幾頁，即『flash位址》9』
三、寫操作過程
寫操作的過程為: 1、傳送寫開始指令；2、傳送第1個cycle位址；3、傳送第2個cycle位址；4、傳送第3個cycle位址；5、傳送第4個cycle位址；6、寫入資料至頁末；7、傳送寫結束指令
下面通過分析寫入頁的**，闡述讀寫過程。
static void writepage(u32 addr, u8 *buf) //addr表示flash中的第幾頁，即『flash位址》9』
s3c2410的nand flash的驅動分析
以前都是把別人寫好的 直接拿過來用，而沒有去關心裡面到底怎麼實現的，昨晚對照著samsung 2410和k 9f1208的晶元資料把這些 讀了一遍，終於明白了對nand flash的操作一步步是怎麼實現的了。以下的這些 可以在vivi或者kernel裡面找到 對乙個nand flash的操作，總體上...
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