經常有人會說支援ddr2的主機板存在偷工減料的現象。事實上這是由於ddr2記憶體中使用了一項新的odt技術，它可以在提高記憶體訊號穩定性的基礎上節省不少電器元件。主機板終結是一種最為常見的終結主機板內干擾訊號的方法。在每一條訊號傳輸路徑的末端，都會安置乙個終結電阻，它具備一定的阻值可以吸收反射回來的電子。但是目前ddr2記憶體的工作頻率太高了，這種主機板終結的方法並不能有效的阻止干擾訊號。若硬要採用主機板終結的方法得到純淨的ddr2時鐘訊號會花費鉅額的製造成本。
odt是on-die termination的縮寫，其意思為內部核心終結。從ddr2記憶體開始內部整合了終結電阻器，主機板上的終結電路被移植到了記憶體晶元中。在記憶體晶元工作時系統會把終結電阻器遮蔽，而對於暫時不工作的記憶體晶元則開啟終結電阻器以減少訊號的反射。由此ddr2記憶體控制器可以通過odt同時管理所有記憶體引腳的訊號終結。並且阻抗值也可以有多種選擇。如0ω、50ω、75ω、150ω等等。並且記憶體控制器可以根據系統內干擾訊號的強度自動調整阻值的大小。
其實odt技術的具體內部構造並不十分複雜。在記憶體各種引腳與記憶體模組的內部緩衝器中間設有乙個emrs擴充套件模式暫存器，通過其內部的乙個控制引腳可以控制odt的阻抗值。系統可以使用2bit位址來定義odt的四種工作狀態。（0ω、50ω、75ω、150ω）一旦odt接到乙個設定指令，它就會一直保持這個阻值狀態。直到接到另乙個設定指令才會轉換到另一種阻值狀態。
當向記憶體寫入資料時，如果只有一條記憶體，那麼這條記憶體就自己進行訊號的終結，終結電阻等效為150ω。如果為兩條記憶體，那麼他們會交錯的進行訊號的終結。第乙個模組工作時，第二個模組進行終結操作，等第二個模組工作時，第乙個模組進行終結操作，但等效電阻為75ω。當有三條記憶體的時候，三條會交替進行訊號終結，但等效電阻為50ω。
整個odt的設定和控制都要通過emrs中那個控制引腳來完成。因此這個引腳的響應速度成為了odt技術中的關鍵因素。odt工作時有兩種基本模式：斷電模式和其他模式。其中其他模式還包括啟用模式和備用模式。odt從工作到關閉所用的時差叫做taonpd延遲，最少僅2個時鐘週期就可以完成，最多5個時鐘週期。由於開啟和休眠的切換如此迅速，記憶體可以在不影響效能的前提下充分的進行「休息」。
odt技術的優勢非常明顯。第一，去掉了主機板上的終結電阻器等電器元件，這樣會大大降低主機板的製造成本，並且也使主機板的設計更加簡潔。第二，由於它可以迅速的開啟和關閉空閒的記憶體晶元，在很大程度上減少了記憶體閒置時的功率消耗。第三，晶元內部終結也要比主機板終結更及時有效，從而減少了記憶體的延遲等待時間。這也使得進一步提高ddr2記憶體的工作頻率成為可能。
記憶體 DDR2與DDR
ddr2與ddr的區別 與ddr相比，ddr2最主要的改進是在記憶體模組速度相同的情況下，可以提供相當於ddr記憶體兩倍的頻寬。這主要是通過在每個裝置上高效率使用兩個dram核心來實現的。作為對比，在每個裝置上ddr記憶體只能夠使用乙個dram核心。技術上講，ddr2記憶體上仍然只有乙個dram核心...
DDR2與DDR的區別
與ddr相比，ddr2最主要的改進是在記憶體模組速度相同的情況下，可以提供相當於ddr記憶體兩倍的頻寬。這主要是通過在每個裝置上高效率使用兩個dram核心來實現的。作為對比，在每個裝置上ddr記憶體只能夠使用乙個dram核心。技術上講，ddr2記憶體上仍然只有乙個dram核心，但是它可以並行訪問，在...
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ddr2 與ddr 的區別 與ddr相比，ddr2最主要的改進是在記憶體模組速度相同的情況下，可以提供相當於ddr記憶體兩倍的頻寬。這主要是通過在每個裝置上高效率使用兩個dram核心來實現的。作為對比，在每個裝置上ddr記憶體只能夠使用乙個dram核心。技術上講，ddr2記憶體上仍然只有乙個dram...