rom（read only memory）唯讀儲存器。斷電後資訊不丟失，如計算機啟動用的bios晶元。訪問速度很低，（較ram而言）且不能改寫。由於不能改寫資訊，不能公升級，現已很少使用。ram（ramdom access memory）易揮發性隨機訪問儲存器，高速訪問，讀寫時間相等，且與位址無關，如計算機記憶體等。
ram分為sram（靜態隨機儲存器）和dram（動態隨機儲存器）兩大類。sram一般用作cpu的一級cache和二級cache，容量小，訪問速度快，**高，只要供電資料就會一直存在，不需要動態重新整理。而dram用作計算機當中的記憶體，也就是記憶體條，容量大，相對sram而言訪問速度慢，但是比rom速度要快，由於利用電容來儲存電荷，需要額外重新整理電路進行充放電，電路如下圖所示。
如圖一所示，左邊就是pc系統中常用的記憶體條，該記憶體條是雙通道2g記憶體(dual inline memory module),通常簡稱為dimm。我們可以看到記憶體條上黑色的128mb記憶體晶元，這些記憶體晶元簡稱為ic。該記憶體條是雙面記憶體，就是說正反兩面都有8個ic，總共16個ic，16*128m=2gb。dimm的單面稱作rank，比如下圖的2gb記憶體條，它就是由rank1，rank2兩個單面組成，每個面有8個ic。
每個ic內部通常由8個bank組成(ddr3通常為8個bank，gddr5通常有16個bank)，這些bank共享乙個memory i/o controller, 但是在每個bank內部的讀寫可以並行進行。
每個bank內部包括行位址解碼器，列位址解碼器，感測放大器，以及dram記憶體陣列。如圖2所示，這些記憶體陣列由行列組成，每個行列交叉的單元，表示n bit，通常是8bit或者16位【每一位都是由乙個電晶體和乙個電容組成,在gddr5和hbm記憶體中，通常為32byte】，表示乙個位元組或者乙個word。bank中的每一行組成乙個page，每一行又包括很多列(這兒列是指單個交叉單元)。記憶體讀寫的最小單位就是這些交叉單元，通常只有這些單元被放入感測放大器的時候，才能夠被讀寫，所以通常要不斷在行和感測放大器之間移動資料。
把一行放入感測放大器稱作」activate」，因為這個操作會啟用bank。把感測放大器的內容放入行，稱作「precharge」。有時候read或者write的時候會隱含著 precharge的操作，稱作ap-read,或者ap-write,ap(auto precharge)。
在圖中每個bank由16k的page組成，每個page包括1k的列，每列是8bit的byte，所以總共16,384 rows/bank x 1,024 columns addresses/row x 1 byte/column address x 8 stacked banks=128m
1，2，
DRAM記憶體原理（二）結構和功能
記憶體最基本的單位是記憶體 細胞 也就是我們前面展示給大家dram基本單元示意圖所示的部分，下面我們對這個部分通稱為dram基本單元。每個dram基本單元代表乙個 位 bit 也就是乙個位元 並且有乙個由列位址和行位址定義的唯一位址。8個位元組成乙個位元組，它可代表256種組合 即2的八次冪 位元組...
DRAM 記憶體介紹 二
參考資料 ddr3 sdram的讀寫操作都是burst相關的，在乙個address啟動讀寫操作後，它都要連續進行burst length的byte讀寫，就像前一章的圖中，act命令後，會跟著乙個多個讀寫命令。read burst 的長度總是4 clocks，這是因為ddr傳輸資料頻率是主機的兩倍，4...
DRAM重新整理電路原理
原文 dram的電路模型及工作原理 dram與 cpu 的介面 定址方式 舉個栗子，em63a165ts 是 etrontech 公式的一款 dram 晶元，容量為 16m 16bit，分成四個 bank，每乙個 bank 為 4m 16bit。但是，觀察它的晶元管腳圖，你就會發現它的位址線只有 1...