隨機訪問儲存器
最為常見的
系統記憶體
。dram 只能將資料保持很短的時間。為了保持資料，dram使用電容儲存，所以 必須隔一段時間重新整理（refresh）一次，如果
儲存單元
沒有被重新整理，儲存的資訊就會丟失。 （關機就會丟失資料）。關鍵字，儲存。也就是存放資料。
2.sdram的特點。
大小：一共兩塊sdram並列，位址線有12條，還有ba0和ba1兩個bank選擇端，這兩個選擇端把bank劃分為四部分。而這12條位址線的a0-a12作為行位址，a0-a8作為列位址。這是由引腳ras和cas決定的。所以實際組成的位址線就有=2（bank）+12（行位址）+8（列位址）=22條。
然後就看看資料寬度啦，像上面是兩塊sdram併聯，資料寬度達到了32位，那麼sdram總大小達到：2^22*16bits=64mb大小。
說到這裡就是說明啦兩塊sdram有64m記憶體，接下來的問題就是定址問題。如果對於sdram本身來說，就比較好說，首先依靠
ba0和ba1兩個bank選擇端找到sdram對應的bank區，然後依靠行位址和列位址找到該去裡面的乙個記憶體單元，就ok啦。可是接到arm上的話，也差不多，本質是一樣，主要就是理解好乙個基位址是多少問題。首先我的開發板sdram的ba0接到處理器的addr24，ba1接到處理器的addr25。而sdram片選段ngcs6引腳，即接到了儲存控制器bank6那個區域啦。那麼基位址就是0x3000 0000 ，由於64mb，那麼就到0x33ff ffff。
但是這裡注意，由於資料線32位，那麼對於sdram來說乙個但願還能記憶體就有32位資料，可是arm的每乙個單元是8位，即一位元組，四位元組才是乙個字。所以這個具得討論一下，arm和sdram的對齊問題。也就是說sdram的乙個單元頂處理器四個單元，這樣咋辦呢，辦法就是arm傳給sdram的位址要是4的倍數，就可以，所以。。。。（待續）
NVM和DRAM混合儲存小結
與 相比，新型 具有擴充套件性好 靜態能耗低以及非易失性等優勢，有望用於記憶體系統。然而，同樣存在著寫延遲長 寫功耗大等缺點，如 的寫延遲為 左右，明顯大於 的寫延遲 的寫能耗為 而 的寫能耗為 也顯著大於 的寫能耗。將 用 於記憶體系統有 種不同的記憶體 結構 第 種 結 構 是 完 全 替 代 ...
易失性儲存DRAM詳解
dram是一種半導體儲存器，主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表乙個二進位制bit是1還是0。與sram相比的dram的優勢在於結構簡單,每乙個bit的資料都只需乙個電容跟乙個電晶體來處理，相比之下在sram儲存晶元上乙個bit通常需要六個電晶體。因此dram擁有非常高的密度，單位體積的容...
DRAM 快閃儲存器需求量井噴！或將會加劇漲價！
前不久，希捷總裁發表講話，他認為，儲存尋求的增長在未來依然很快，將會超越硬碟出貨總容量，也就是說，機械硬碟在未來的應用價值依然很大。不過，儲存的爆發還將帶動dram 記憶體等 flash 快閃儲存器 等迎來爆發。ihs近日的統計報告指出，dram 淺色 和flash 深色 在未來5年都會有3 6倍的...