PCM與DRAM混合記憶體

隨著計算機技術的不斷發展，處理速度不斷增加，對記憶體的要求也是越來越高。但是資料顯示，處理器每年的增長速度每年在35%左右，但是記憶體的速度增長只有7%左右。所以記憶體的速度正在成為計算機發展的瓶頸。另一方面，記憶體的能耗問題也是日益嚴重，資料顯示記憶體的耗能佔總體能耗的40%左右。基於上述問題，新型的記憶體pcm的出現或許可以取代傳統記憶體。

pcm具有相較於傳統的dram具有功耗低，非易失，單位密度大等特點。但是另一方面，此種記憶體有讀寫次數的限制，另外讀的延遲大約為dram的3-4倍，寫的延遲更是大了乙個數量級。具體來看

鑑於pcm和dram上述的優缺點，提出了一種pcm和dram混合記憶體的方式。其目的就是減少pcm的寫操作，而又充分利用pcm斷電不易失

，讀取速率相近且能耗低的優點。提高記憶體的訪問速度，同時降低能耗。

pcm和dram混合記憶體現在又兩種主流的方式，第一種是dram作為pcm的快取（如下圖），另一種是pcm和dram並行方式

首先說第一種方式，dram作為pcm的告訴快取記憶體。dram對於處理器是可見的，處理器首先訪問dram中的數

據，當dram中不存在相應資料

的時候，

就去訪問pcm。對於資料的操作，首先在dram中完成，通過延緩寫減少

對pcm的寫操作。為避免對同意資料塊頻繁讀寫，接下來會分

析壽命延長策

略，以及預防攻擊的策略。

另一種方式是pcm和dram平行的策略，及對pcm和dram統一編址。這種方法對現有的系統影響較小，沒有增加

額外的硬體裝置，因而具有更

大的可行性。為了對pcm記憶體優點充分利用，有兩種方式，第一種是將dram中不常

使用的頁轉移到pcm記憶體中；另一種是將唯讀的頁直接從硬

盤載入到pc

m中，並在一段時間內長期儲存。具體實現

將在後續文章提到。

通過pcm和dram的混合記憶體既可以利用pcm功耗小，非易失的特點，又能返回dram速度快的優勢。應該具有不

錯的前景。

PCM與DRAM混合記憶體

隨著計算機技術的不斷發展，處理速度不斷增加，對記憶體的要求也是越來越高。但是資料顯示，處理器每年的增長速度每年在35 左右，但是記憶體的速度增長只有7 左右。所以記憶體的速度正在成為計算機發展的瓶頸。另一方面，記憶體的能耗問題也是日益嚴重，資料顯示記憶體的耗能佔總體能耗的40 左右。基於上述問題，新...

DRAM 記憶體原理

rom read only memory 唯讀儲存器。斷電後資訊不丟失，如計算機啟動用的bios晶元。訪問速度很低，較ram而言 且不能改寫。由於不能改寫資訊，不能公升級，現已很少使用。ram ramdom access memory 易揮發性隨機訪問儲存器，高速訪問，讀寫時間相等，且與位址無關，如...

NVM和DRAM混合儲存小結

與 相比，新型 具有擴充套件性好 靜態能耗低以及非易失性等優勢，有望用於記憶體系統。然而，同樣存在著寫延遲長 寫功耗大等缺點，如 的寫延遲為 左右，明顯大於 的寫延遲 的寫能耗為 而 的寫能耗為 也顯著大於 的寫能耗。將 用 於記憶體系統有 種不同的記憶體 結構 第 種 結 構 是 完 全 替 代 ...