單結電晶體（簡稱ujt）又稱基極二極體，它是一種只有乙個pn結和兩個電阻接觸電極的半導體器件，它的基片為條狀的高阻n型矽片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個基極b1和b2。在矽片中間略偏b2一側用合金法製作乙個p區作為發射極e。其結構、符號和等效電呼如圖1所示。
圖1、單結電晶體
一、單結電晶體的特性
從圖1可以看出，兩基極b1與b2之間的電阻稱為基極電阻：
rbb=rb1+rb2
式中：rb1----第一基極與發射結之間的電阻，其數值隨發射極電流ie而變化，rb2為第二基極與發射結之間的電阻，其數值與ie無關；發射結是pn結，與二極體等效。
若在兩面三刀基極b2、b1間加上正電壓vbb，則a點電壓為：
va=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηvbb
式中：η----稱為分壓比，其值一般在0.3---0.85之間，如果發射極電壓ve由零逐漸增加，就可測得單結電晶體的伏安特性，見圖2
圖2、單結電晶體的伏安特性
（1）當ve＜η vbb時，發射結處於反向偏置，管子截止，發射極只有很小的漏電流iceo。
（2）當ve≥η vbb+vd vd為二極體正向壓降（約為0.7伏），pn結正嚮導通，ie顯著增加，rb1阻值迅速減小，ve相應下降，這種電壓隨電流增加反而下降的特性，稱為負阻特性。管子由截止區進入負阻區的臨界p稱為峰點，與其對就的發射極電壓和電流，分別稱為峰點電壓vp和峰點電流ip和峰點電流ip。ip是正向漏電流，它是使單結電晶體導通所需的最小電流，顯然vp=ηvbb
（3）隨著發射極電流ie不斷上公升，ve不斷下降，降到v點後，ve不在降了，這點v稱為谷點，與其對應的發射極電壓和電流，稱為谷點電壓，vv和谷點電流iv。
（4）過了v點後，發射極與第一基極間半導體內的載流子達到了飽和狀態，所以uc繼續增加時，ie便緩慢地上公升，顯然vv是維持單結電晶體導通的最小發射極電壓，如果ve＜vv，管子重新截止。
二、單結電晶體的主要引數
（1）基極間電阻rbb 發射極開路時，基極b1、b2之間的電阻，一般為2--10千歐，其數值隨溫度上公升而增大。
（2）分壓比η 由管子內部結構決定的常數，一般為0.3--0.85。
（3）eb1間反向電壓vcb1 b2開路，在額定反向電壓vcb2下，基極b1與發射極e之間的反向耐壓。
（4）反向電流ieo b1開路，在額定反向電壓vcb2下，eb2間的反向電流。
（5）發射極飽和壓降veo 在最大發射極額定電流時，eb1間的壓降。
（6）峰點電流ip 單結電晶體剛開始導通時，發射極電壓為峰點電壓時的發射極電流
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