曾經跟微電子，打過的擦邊球，現以不從，不接受它了。
曾經，膜拜過他的專利！
申請號申請日
發明201210265532.9
2012-07-27
一種ldmos柵極的製作方法及產品
發明201010608139.6
2010-12-16
p型高濃度摻雜矽及bcd產品p溝道mos管製作工藝
發明201010178394.1
2010-05-17
製造包括齊納二極體的金屬氧化物半導體積體電路的方法
發明201010203008.x
2010-06-10
一種齊納二極體及其製造方法
發明201210151130.6
2012-05-15
一種bcd整合器件及其製造方法
發明授權
200910243212.1
2009-12-29
一種光刻技術中實現對準偏差測量的裝置和方法
發明201010100575.2
2010-1-22
一種p溝道耗盡型mos電晶體及其製備方法
發明201110432344.6
2011-12-21
一種加厚壓焊塊的製作方法
發明201210401337.4
2012-10-19
一種製造p型輕摻雜漏區的方法
發明201210387415.x
2012-10-12
一種閾值電壓調節方法
實用新型
201320598229.0
2013-09-26
橫向高壓半導體器件及其多階場板
實用新型
201320393332.1
2013-7-3
橫向電晶體
工藝流程中，常用簡稱。
las_mak
雷射打標
39goi_bnk
進bank
77cod_bnk
進入bank
nwl_imp1
n阱注入1
40vtn_pho
vtn(n管開啟電壓)光刻
78rom_pho
rom(儲存器)光刻
int_oxi
初始氧化
41vtn_imp
n管開啟電壓注入
79rom_imp
rom注入,
pad_oxi1
墊氧,起緩衝作用.
42vtg_imp
vt(開啟電壓)注入
80ild_dep
bpteos澱積
sdg_dep1
sdg (mos管的源,柵,漏) 澱積1
43pfi_pho2
p場光刻2
81ild_flw
ild是第一層隔離介質回流
sdg_pho1
sdg 光刻1
44pfi_imp2
p場注入2
82sin_rmv1
去除氮化矽
sdg_etc1
sdg 蝕刻1
45sac_rmv
去除犧牲氧化層
83gox_oxi1
柵氧生長
hmk-dep
硬掩模澱積
46gox_oxi
mos管的柵氧化層
84vtp_pho
p管vt(開啟電壓)光刻
trn_pho
溝槽光刻
47sdg_imp
mos管的源漏注入
85vtp_imp
p管vt(開啟電壓)注入
hmk_etc
硬掩模蝕刻
48po1_dep
多晶矽澱積
86vtp_anl
p管vt退火,在注入之後
trn_etc
溝槽蝕刻
49po1_dop
多晶矽攙雜
87ct1_pho
孔層光刻
trn_rnd
溝槽圓滑蝕刻
50dpl_dep
攙雜多晶矽澱積
88ct1_etc
孔蝕刻nwl_pho
n阱光刻
51dpl_etb
攙雜多晶矽蝕刻
89ct1_imp
孔注入nwl_imp
n阱注入
52wsi_spu
鎢化矽濺射
90ct1_flw
回流,pwl_pho
p阱光刻
53po1_pho
多晶矽層塗膠,為了去除不用的地方
91ctl_etc
孔蝕刻pwl_imp
p阱注入
54po1_etc
多晶矽蝕刻
92ctn_imp
n管孔注入
wel_drv
推阱55
nld_imp
n管淺層注入
93ctp_pho
p管孔光刻
pad_oxi2
墊氧256
bdy_oxi
場氧化層
94ctp_imp
p管孔注入
sdg_dep2
sdg澱積2
57bdy_pho
場光刻95
mt1_spu
濺鋁sdg_pho2
sdg 光刻2
58bdy_imp
場注入96
mt1_tin
1鋁層氮化鈦澱積
sdg_etc2
sdg 蝕刻2
59bdy_drv
場驅入97
mt1_aly
1鋁合金
pfi_pho1
p場光刻
60pld_pho
p管淺層光刻
98mt1_pho
1鋁光刻
pfi_imp1
p場注入
61pld_imp
p管淺層注入
99mt1_etc
1鋁蝕刻
fld_oxi
場氧,起隔離器件作用
62spa_dep
側牆澱積
100pas_dep
護層澱積
rng_pho
場環光刻
63src_pho
源區光刻
101pas_pho
護層光刻
rng_imp
場環注入
64src_etc
源區蝕刻
102pas_etc
護層蝕刻
rng_etc
場環蝕刻
65src_imp
源區注入
103pas_aly
護層合金
rng_drv
場環推進
66src_drv
源區驅入或退火
104pas_dep2
護層澱積
sdg_pho3
sdg 澱積3
67spa_etc
側牆蝕刻
105pas_pho2
護層光刻
sdg_etc3
sdg 光刻3
68nsd_pho
n管(n管的源漏)光刻
106pas_etc2
護層蝕刻
pad_oxi3
墊氧369
nsd_imp
n管的源漏注入,以形成n管
107oqc1
qra 檢驗
jft_imp
jft 注入
70psd_pho
p管(p管的源漏)光刻
108wat-tes
wat 測試
jft_drv
jft 推進
71psd_imp
p管的源漏注入,以形成n管
109bak_grd
背面減薄
dby_pho
dby 光刻
72rpl_dep
p+ 反打區澱積
110bak_imp
背面注入
dby_imp
dby 注入
73rpl_pho
p+ 反打區光刻
111bak_met
背面背金
dby_drv
dby 推進
74rpl_etc
p+ 反打區蝕刻
112cpt_tes
cp 測試
sin_rmv
去除氮化矽
75rpl_oxi
p+ 反打區氧化
sac_oxi
犧牲氧化層
76sda_drv
源,漏驅入或退火
印刷微電子
印刷微電子就是基於印刷原理的電子學。傳統微電子學從單晶矽襯底材料的製備到在矽單晶體上形成電晶體與互連線所需要的薄膜沉積 光刻 刻蝕 封裝等，所涉及的工藝程式多達數百項。並且由於傳統微電子的加工裝置價值昂貴，傳統的微電子行業被一些大公司壟斷。反觀傳統的印刷行業工藝簡單，加工裝置便宜。加之pcb tft...
微電子複習專用
晶元 在晶元上經製備出的電晶體或電路。1957年，發現sio2具有阻止施主雜質或受主雜質向矽內擴散的作用，掩蔽作用。把不需要擴散的區域用一定厚度的sio2保護起來。sio2在積體電路中的作用 sio2薄膜生長方法 1 熱氧化 矽片表面與水 氧或其他含氧物質在高溫下進行氧化反應應而生成sio2薄膜的方...
微電子向納電子轉型加速
實際上，奔 4個人計算機已經採用了 90奈米技術，開始了從微電子向納電子的歷史轉變。現在，情況怎樣呢？當今，各種手持移動裝置 滿天飛 不到 2 3年就要 換 如今，手機成了大眾消費品，造成極大的資源浪費。移動裝置要求處理器既小巧又節能，這下可忙壞了世界晶元生產廠商，他們都開足馬力搞 大生產 運動。6...