晶元：在晶元上經製備出的電晶體或電路。2023年，發現sio2具有阻止施主雜質或受主雜質向矽內擴散的作用，掩蔽作用。
把不需要擴散的區域用一定厚度的sio2保護起來。
sio2在積體電路中的作用
sio2薄膜生長方法
（1）熱氧化：矽片表面與水、氧或其他含氧物質在高溫下進行氧化反應應而生成sio2薄膜的方法
（2）化學氣相沉積（cvd）：把一種或幾種元素的氣體供給基片，利用某種方式啟用後，在襯底表面處發生化學反應，沉積所需的固體薄膜
sio2薄膜的要求：表面：厚度均勻、表面緻密、無斑點、無白霧
氧化技術的發展趨勢和面臨問題
目的：通過補償或摻雜，製作n型或p型區域
雜誌分布特點
擴散工藝形式不同，但總體可分為恆定源擴散、限定源擴散
常用擴散方法
（固態、液態、氣態）
一、在平面擴散工藝中最常用的是液態源擴散
特點：控制擴散t（溫度），擴散t（時間），氣體流量，來控制摻雜量。二、氣態片狀源擴散均勻、重複性好、裝置簡單、容易操作等。
n2 大部分直接進入管中，小部分進入源瓶攜帶雜質源形成npn雙極電晶體的發射區摻雜雜質磷
三、固固擴散
預沉積→高溫擴散爐→再分布
在矽片表面用化學氣相澱積法生產薄膜 (薄膜可以是氧化物、多晶矽和氮化物)預沉積在生長薄膜的同時，在膜內摻雜磷、硼、砷等雜質,這些薄膜內的雜質作為擴散源在高溫下向矽片內部擴散
再分布
擴散層質量檢測方法
離子注入：將雜質電離成離子並聚焦成離子束，在電磁場作用下加速轟擊進入矽片從而實現摻雜（適用於結深小於1微公尺的平面工藝
）離子注入摻雜分兩步：（1）離子注入（2）退火再分布
離子注入深度較淺，濃度較大，必須熱處理使雜質向半導體體內重新分布。離子摻雜的優點：注入的離子是通過質量分析器選出的，純度高，能量單一， 摻雜純度不受雜質源純度的影響由於高能粒子的撞擊，使矽的晶格發生損傷。為恢復晶格損傷，離子注入後要進行退火處理。
掩膜：是用石英玻璃做成的均勻平坦的薄片，表面上塗一層600800nm厚的cr層，使其表面光潔度更高，稱之為鉻版（cr mask）
電子書製版三部曲
塗抗蝕劑（pmma）
電子書**
顯影（二甲苯）
光刻的基本原理：
利用光敏的扛蝕塗層（光刻膠(對光敏感的有機薄膜)）發生化學反應，結合刻蝕方法在各種薄膜上生成合乎要求的圖形，實現選擇摻雜、形成金屬電極和佈線或表面鈍化的目的
光刻
利用光（和光刻膠）的作用把掩模版（光刻板）上的圖形轉換到晶元上的過程
塗膠、煎烘→對準**→顯定影→堅膜（後烘）→腐蝕→去膠
採用旋轉塗膠技術對晶元進行塗膠光刻膠分為（1）正性光刻膠（2）負性光刻膠
印刷微電子
印刷微電子就是基於印刷原理的電子學。傳統微電子學從單晶矽襯底材料的製備到在矽單晶體上形成電晶體與互連線所需要的薄膜沉積 光刻 刻蝕 封裝等，所涉及的工藝程式多達數百項。並且由於傳統微電子的加工裝置價值昂貴，傳統的微電子行業被一些大公司壟斷。反觀傳統的印刷行業工藝簡單，加工裝置便宜。加之pcb tft...
微電子向納電子轉型加速
實際上，奔 4個人計算機已經採用了 90奈米技術，開始了從微電子向納電子的歷史轉變。現在，情況怎樣呢？當今，各種手持移動裝置 滿天飛 不到 2 3年就要 換 如今，手機成了大眾消費品，造成極大的資源浪費。移動裝置要求處理器既小巧又節能，這下可忙壞了世界晶元生產廠商，他們都開足馬力搞 大生產 運動。6...
中興通訊微電子招聘
中興通訊招聘資訊 職位和要求如下,符合條件的可以發郵件給我 jingyongnian 163.com,我推薦一下.1 ic系統工程師 工作地點 深圳 主要職責 1 無線系統基帶晶元系統架構設計 2 核心技術攻關，無線新標準和新技術預研 3 專案策劃和調研，收集和分析使用者需求。任職要求 1 畢業3年...