本次主要是對經典題目的彙總，如果想看對知識點的彙總，可以看我另一篇部落格：微電子電路——期中總結
1、第乙個電晶體發明年份？：1947
2、發明者當時供職於哪家公司？：bell lab
3、第一塊積體電路發明年份？：1958
4、發明者當時供職於哪家公司？：ti
5、第一台計算機誕生年份？：1946
6、發明者當時供職於哪家公司？：bell lab
7、第乙個mos管誕生年份？：1960
8、cmos管誕生年份？：1963
1、考慮標準0.13µm cmos工藝下nmos管，零襯偏時閾值電壓vt=0.3v，柵氧厚度為tox=260nm，襯底摻雜濃度na=2×1017cm-3，襯底接地。如果源極vs=0.3v時，室溫下nmos管閾值電壓變化多少？
這道題主要考察閾值電壓公式：
重點是我們需要根據他給出來的值來計算體效應係數
其中的ε是常量，q也是常量，而na題目中已經給出，我們需要計算的僅僅是刪氧化層的電容，根據公式：
綜上可以計算出體效應係數，然後需要計算兩個費公尺能級φ，費公尺能級的公式為：
其中的kt/q是常溫下的熱電壓，ni是本證載流子的濃度，都是應該給出來的常量，代入計算即可。由於源極電壓vs=0.3，那麼源底電壓=-0.3，帶入最初的共識，便可以計算出最終的閾值電壓
這道題很難，但要知道，在考試的時候，所有的公式，常量老師都會給出來的，重點是我們怎麼用（~~希望吧）。
2、考慮標準0.13µm cmos工藝下nmos管，寬長比為w/l=0.26µm/0.13µm，柵氧厚度為tox=26å，室溫下電子遷移率µn=220cm2/v·s，閾值電壓vt=0.3v，計算vgs=1.0v，vds=0.2v和1.0v時id的大小。
這道題我們要算的是漏源電流的大小，首先根據給出的vgs和vt可以知道vgs>vt，而當vds=0.2的時候，vdsvds-vt，說明此時處於飽和區，使用公式：
此時我們要計算的只不過是這個常數β，代入公式：
同樣，w和l已經給出，μn也已經給出，只有ctox刪氧化層電容需要計算，代入公式：
至此，所有的引數已經計算完畢，就可以得到漏電流的值。
各位可以看到，標準0.13μm的nmos管經常出現，大家可以記一下他的ε的值或者ctox刪氧化層電容的值，是3.98.8510-14/tox，而tox的單位a是10-8
3、以n型半導體為例，他的多數載流子是自由電子，即自由電子濃度n＞空穴濃度p，那麼他是否保持電中性？為什麼？
是保持電中性。
從微觀上講，不管是多子還是少子，都是在原子核之外而言的。就以題目中的n型半導體為例。由於n型半導體是摻雜了五族元素製作而成的，導致在晶格中存在較多的自由電子，構成了多數載流子。
從巨集觀上來看，本徵半導體為電中性，摻雜也是電中性，故**所有電子（不管是不是自由電子）**的數目和原子核中質子的數目是相等的，所以對外不顯電性。
4、在半導體中，哪些是帶正電的？：電離施主、空穴
5、在半導體中，哪些是帶負電的？：電離受主、自由電子
6、對乙個半導體而言會有如下公式：
對於施主雜質，可以認為是電子數d=空穴數d+施主離子數。其中注意，這裡的電子數並不等於n，而是僅僅由施主雜質產生的電子。
對於受主雜質，可以認為是空穴數a=電子數a+受主離子數。其中注意，這裡的空穴數並不等於p，而是僅僅由受主雜質產生的空穴。
8、如圖所示，m1 和 m2 兩管串聯，且 vb < vg-vt < va，請問：
（1） 若都是 nmos，它們各工作再什麼狀態？
（2） 若都是 pmos，它們各工作在什麼狀態？
（3） 證明兩管串聯的等效導電因子是 keff = k1k2/(k1 +k2)。
解：（1）假定vc的值，根據vbvg-vt）
假設m1截止、m2飽和，則上nmos電流為0，下nmos電流大於0，vc被下拉，電路處於非穩態，所以vc會繼續下降到vc2-(vg-vt-vc)2]
ideff=keff(vg-vt-vb)^2
由此可以得到：
又因為id1=id2=ideff
化簡後可得keff=k1k2/(k1 +k2)
1、對於w/l=20/1的電晶體，其 kp和kn分別是多少？
我們可以根據k值的公式：
題目中給出的k『實際上就是除去了寬長比的k值，即k『=1/2μcox
所以，這道題已經很簡單了，直接代入公式就可以。
2、cmos反相器中(w/l)p=(w/l)n時，kr為多少？ 計算這個kr值時，cmos反相器由邏輯閾值點確定的最大雜訊容限為多少？（vdd=2.5v, vtn=0.6v, vtp=-0.6v）
這道題我們需要計算kr=kn/kp，直接帶入公式可以求出大概為2.5
要計算最大雜訊容限，我們需要計算出轉換電平vit的值，即公式：
此時我們已經有所有的值，那麼直接算出轉換電平的值，而最大雜訊容限是vdd-vit與vit之間的小值，可以計算出
3、求圖中反相器的最大電流？
想要計算最大電流說明是雙飽和區的時候，即公式：
由於k『都已經給出，且vt都給出了，寬長比在圖中給出分別是5/1和2/1，vdd為2.5v，那麼就可以直接計算出此時的vin，然後帶入等式兩邊任意乙個就可以計算出此時的漏電流大小。
4、計算圖中反相器平均傳輸延遲tp，其中cl=1pf
想要計算平均延遲時間，我們需要用到公式：
題目中已經給出了負載電容的值，高電平為2.5v，k值可計算，vt已經給出，直接帶公式就可以。
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