隨機訪問儲存器:
如圖,鐘擺是從穩定-亞穩態-穩定的過程。
由於sram儲存單元的雙穩定性,只要有電,它就會永遠的保持它的值,即使有干擾。
動態ram
dram儲存器的每乙個單元由乙個電容和乙個訪問電晶體組成。
dram儲存器單元對干擾非常敏感,當電容的電壓一旦被干擾之後,就永遠不能恢復了。
如圖顯示出dram與sram儲存器的特性差別
傳統的dram
dram被分成d個超單元
資訊通過稱為引腳的外部聯結器流入和流出晶元,每個引腳帶乙個1位訊號。
8個data引腳能傳送乙個位元組。
每個dram晶元被連線到某個稱為儲存控制器的電路,這個電路可以一次傳送w位到每個dram晶元或一次從dram晶元上傳出w位。
dram把超單元(i,j)內容發回給控制器作為回應。
行位址i稱為ras請求,列位址j稱為cas請求,且ras和cas請求共享相同的dram位址引腳。
儲存器模組
dram晶元包裝在儲存器模組中。
常見的包裝包括168個引腳的雙列直插儲存器模組,它以64位為塊傳送資料,到儲存器。
還包括72個引腳的單列直插儲存器模組,它以32位為塊傳送資料,到儲存器。
增強的dram
磁碟構造
磁碟容量
* 記錄密度(位/英吋)
* 磁軌密度(道/英吋)
* 面密度(位/平方英呎)
磁碟操作
尋道時間(seek time):為了讀取某個目標扇區的內容,傳動臂把讀/寫頭首先定位到包含目標扇區的磁軌上。所需時間即為尋道時間,約等於最大旋轉時間。
旋轉時間(rotational latency):定位到期望的磁軌後,驅動器等待目標扇區的第乙個位旋轉到讀/寫頭下。
傳送時間(transfer time)
邏輯磁碟塊
現代磁碟構造複雜,有多個盤面,這些盤面上有不同的記錄區。為了對作業系統隱藏這樣的複雜性,現代磁碟將它們的構造簡化為乙個b個扇區大小的邏輯塊的序列,編號為0,1,2,...b-1。磁碟中有乙個小的硬體/韌體裝置,稱為磁碟控制器,維護著邏輯塊號的和實際(物理)磁碟扇區之間的對映關係。
連線到i/o裝置
訪問磁碟
商用磁碟的剖析
固態硬碟是一種基於快閃儲存器的儲存技術,在某些情況下是傳統旋轉磁碟的極有吸引力的替代產品。
有良好區域性性的程式比區域性性差的程式執行的更快
步長為k的引用模式:乙個連續變數中,每隔k個元素進行訪問。
順序引用模式:具有步長為1的引用模式
隨著步長的增加,空間區域性性下降
以二維陣列為例:
迴圈體裡的指令是按照連續的儲存器順序執行的,因此迴圈有良好的空間區域性性,因為迴圈體會被執行多次,所以它也有良好的時間區域性性。
**區別於程式資料的乙個重要屬性時在執行時是不能被修改的。
屬性:* 儲存技術
* 計算機軟體
中心思想:對於每個k,位於k層的更快更小的儲存裝置作為位於k+1層的更大更慢的儲存裝置的快取
快取命中:但程式需要第k+1層的某個資料物件d時,它首先在當前儲存在第k層的乙個塊中查詢d,如果d剛好快取在第k層中,那麼就是我們說的快取命中。
快取不命中:若第k層中沒有快取資料物件d,那麼就是我們所說的快取不命中。
* 替換或驅逐:覆蓋乙個現存的塊的過程。
* 犧牲塊:被驅逐的這個塊。
* 替換策略:決定應該替換哪個塊。
快取不命中的種類
* 冷快取(強制不命中\冷不命中):乙個空的快取,對於有效位為0的情況
* 快取暖身:反覆訪問儲存器使快取暖身之後的穩定狀態
* 放置策略:發生了不命中,第k層的快取就必須執行某個放置策略,確定把它從第k+1層中取出來的塊放在**。
硬體快取通常使用的是更嚴格的放置策略。例如:第k+1層的塊0、4、8、12會對映到第k層的塊0;塊1、5、9、13會對映到塊1;以此類推。
* 衝突不命中:限制性的放置策略會引起的一種不命中。
* 工作集:程式是按照一系列階段來執行的,每個階段訪問快取塊的某個相對穩定不變的集合。 容量不命中:當工作集的大小超過快取的大小時。
* 組選擇
* 行匹配和字選擇
* 組選擇
* 字選擇
* 不命中率
* 命中率
* 命中時間
* 不命中的處罰
快取記憶體大小的影響
塊大小的影響
相聯度的影響
寫策略的影響
資訊保安系統設計基礎第六周學習總結
ram分類 1.傳統的dram 1 超單元 2 資訊的流入流出 資訊通過引腳流入流出晶元,每個引腳攜帶乙個1位的訊號。3 儲存控制器 這個電路可以一次傳入或傳出w位。3.增強的dram 4.非易失性儲存器 rom 1 分類 2 快閃儲存器flash 3 韌體 儲存在rom裝置中的程式通常被稱為韌體,...
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1.在movl指令中,指令名字的第乙個字母就表明了源型別。指令第二個字母指明了目的型別。立即數 i 暫存器 r 儲存器 m 兩個儲存器傳送指令中的儲存器引用方式是簡單地基址和偏移量形式。2.addl,subl,andl,xorl是四個整數操作指令,y86中只允許對暫存器資料進行操作。3.jmp,jl...
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