flash和eeprom的最大區別是flash按扇區操作，eeprom則按位元組操作，二者定址方法不同，儲存單元的結構也不同，flash的電路結構較簡單，同樣容量佔晶元面積較小，成本自然比eeprom低，因而適合用作程式儲存器，eeprom則更多的用作非易失的資料儲存器。當然用flash做資料儲存器也行，但操作比eeprom麻煩的多，所以更「人性化」的mcu設計會整合flash和eeprom兩種非易失性儲存器，而廉價型設計往往只有flash，早期可電擦寫型mcu則都是eeprm結構，現在已基本上停產了。
至於那個「總工」說的話如果不是張一刀記錯了的話，那是連基本概念都不對，只能說那個「總工」不但根本不懂晶元設計，就連mcu系統的基本結構都沒掌握。在晶元的內電路中，flash和eeprom不僅電路不同，位址空間也不同，操作方法和指令自然也不同，不論馮諾伊曼結構還是哈佛結構都是這樣。技術上，程式儲存器和非易失資料儲存器都可以只用falsh結構或eeprom結構，甚至可以用「變通」的技術手段在程式儲存區模擬「資料儲存區」，但就算如此，概念上二者依然不同，這是基本常識問題。
沒有嚴謹的工作精神，根本無法成為真正的技術高手。
現在的微控制器,ram主要是做執行時資料儲存器,flash主要是程式儲存器,eeprom主要是用以在程式執行儲存一些需要掉電不丟失的資料. 樓 上說的很好
另外，一些變數，都是放到ram裡的，一些初始化資料比如液晶要顯示的內容介面，都是放到flash區里的（也就是以前說的rom區），eeprom可用可不用，主要是存一些執行中的資料，掉電後且不丟失
相"flash儲存器"經常可以與相"nor儲存器"互換使用。許多業內人士也搞不清楚nand快閃儲存器技術相對於nor技術的優越之處，因為大多數情況下快閃儲存器只是用來儲存少量的**，這時nor快閃儲存器更適合一些。而nand則是高資料儲存密度的理想解決方案。
nor是現在市場上主要的非易失快閃儲存器技術。nor一般只用來儲存少量的**；nor主要應用在**儲存介質中。nor的特點是應用簡單、無需專門的介面電路、傳輸效率高，它是屬於晶元內執行(xip, execute in place)，這樣應用程式可以直接在（nor型）flash快閃儲存器內執行，不必再把**讀到系統ram中。在1～4mb的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的效能。nor flash帶有sram介面，有足夠的位址引腳來定址，可以很容易地訪問其內部的每乙個位元組。nor flash佔據了容量為1～16mb快閃儲存器市場的大部分。
nand結構能提供極高的單元密度，可以達到高儲存密度，並且寫入和擦除的速度也很快。應用nand的困難在於flash的管理和需要特殊的系統介面。
1、效能比較:
flash快閃儲存器是非易失儲存器，可以對稱為塊的儲存器單元塊進行擦寫和再程式設計。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。nand器件執行擦除操作是十分簡單的，而nor則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為 1。
由於擦除nor器件時是以64～128kb的塊進行的，執行乙個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除nand器件是以8～32kb的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。
執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了nor和nadn之間的效能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小檔案時)，更多的擦除操作必須在基於nor的單元中進行。這樣，當選擇儲存解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素：
● nor的讀速度比nand稍快一些。
● nand的寫入速度比nor快很多。
● nand的4ms擦除速度遠比nor的5s快。
● 大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
● nand的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
(注：nor flash sector擦除時間視品牌、大小不同而不同，比如，4m flash，有的sector擦除時間為60ms，而有的需要最大6s。)
2、介面差別:
nor flash帶有sram介面，有足夠的位址引腳來定址，可以很容易地訪問其內部的每乙個位元組。
nand器件使用複雜的i/o口來序列地訪問資料，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、位址和資料資訊。
nand讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於nand的儲存器就可以取代硬碟或其他塊裝置。
3、容量和成本:
nand flash的單元尺寸幾乎是nor器件的一半，由於生產過程更為簡單，nand結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了**。
nor flash佔據了容量為1～16mb快閃儲存器市場的大部分，而nand flash只是用在8～128mb的產品當中，這也說明nor主要應用在**儲存介質中，nand適合於資料儲存，nand在compactflash、 secure digital、pc cards和mmc儲存卡市場上所佔份額最大。
4、可靠性和耐用性:
採用flahs介質時乙個需要重點考慮的問題是可靠性。對於需要擴充套件mtbf的系統來說，flash是非常合適的儲存方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的可靠性。
a) 壽命(耐用性)
在nand快閃儲存器中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而nor的擦寫次數是十萬次。nand儲存器除了具有10比1的塊擦除週期優勢，典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍，每個nand儲存器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
b) 位交換
所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，nand發生的次數要比nor多)，乙個位元(bit)位會發生反轉或被報告反轉了。
一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在乙個關鍵檔案上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。
當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(edc/ecc)演算法。位反轉的問題更多見於nand快閃儲存器，nand的**商建議使用nand快閃儲存器的時候，同時使用edc/ecc演算法。
這個問題對於用nand儲存多**資訊時倒不是致命的。當然，如果用本地儲存裝置來儲存作業系統、配置檔案或其他敏感資訊時，必須使用edc/ecc系統以確保可靠性。
EEPROM 和 FLASH的區別
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之前對各種儲存器一直不太清楚，今天總結一下。儲存器分為兩大類 ram和rom。ram就不講了，今天主要討論rom。rom最初不能程式設計，出廠什麼內容就永遠什麼內容，不靈活。後來出現了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認倒霉。人類文明不斷進步，終於出現了可多次擦除寫入的eprom...
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