ic積體電路在研製、生產和使用過程中失效不可避免，隨著人們對產品質量和可靠性要求的不斷提高，失效分析工作也顯得越來越重要，通過晶元失效分析，可以幫助積體電路設計人員找到設計上的缺陷、工藝引數的不匹配或設計與操作中的不當等問題。 失效分析的意義主要表現
具體來說，ic失效分析的意義主要表現在以下幾個方面：
1. 失效分析是確定晶元失效機理的必要手段。
2. 失效分析為有效的故障診斷提供了必要的資訊。
3. 失效分析為設計工程師不斷改進或者修復晶元的設計，使之與設計規範更加吻合提供必要的反饋資訊。
4. 失效分析可以評估不同測試向量的有效性，為生產測試提供必要的補充，為驗證測試流程優化提供必要的資訊基礎。
失效分析主要步驟和內容
sem 掃瞄電鏡/edx成分分析：包括材料結構分析/缺陷觀察、元素組成常規微區分析、精確測量元器件尺寸等等。
探針測試：以微探針快捷方便地獲取ic內部電訊號。雷射切割：以微雷射束切斷線路或晶元上層特定區域。
◆emmi偵測：emmi微光顯微鏡是一種效率極高的失效分錯析工具，提供高靈敏度非破壞性的故障定位方式，可偵測和定位非常微弱的發光（可見光及近紅外光），由此捕捉各種元件缺陷或異常所產生的漏電流可見光。
◆obirch應用（雷射光束誘發阻抗值變化測試）：obirch常用於晶元內部高阻抗及低阻抗分析，線路漏電路徑分析。利用obirch方法，可以有效地對電路中缺陷定位，如線條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻區等，也能有效的檢測短路或漏電,是發光顯微技術的有力補充。
◆lg液晶熱點偵測：利用液晶傳感到ic漏電處分子排列重組，在顯微鏡下呈現出不同於其它區域的斑狀影像，找尋在實際分析中困擾設計人員的漏電區域（超過10ma之故障點）。
定點/非定點晶元研磨：移除植於液晶驅動晶元 pad上的金凸塊， 保持pad完好無損，以利後續分析或rebonding。
◆x-ray 無損偵測：檢測ic封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，pcb製程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連線的缺陷，封裝中的錫球完整性。
◆sam (sat)超聲波探傷可對ic封裝內部結構進行非破壞性檢測, 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如：o晶元面脫層，o錫球、晶元或填膠中的裂縫，o封裝材料內部的氣孔，o各種孔洞如晶元接合面、錫球、填膠等處的孔洞。
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