spice積體電路分析程式與mosfet模型
level 1 簡單mosfet模型
level 2 2μm 器件模擬分析
level 3 0.9μm 器件數字分析
bsim 1 0.8μm 器件數字分析
bsim 2 0.3μm 器件模擬與數字分析
bsim 3 0.5μm 器件模擬分析與0.1m 器件數字分析
level=6 亞微公尺離子注入器件
level=50 小尺寸器件模擬電路分析
level=11 soi器件
對電路設計工程師來說, 採用什麼模型引數在很大程度上還取決於能從相應的工藝製造單位得到何種模型引數。
例1：含有雙穩態的電路
固定a端為1，掃瞄輸出－輸入b 的直流特性：
1、1.2um cmos工藝level ii模型
(1)直流特性：
(2)瞬態特性
2、bsim3模型
基於物理的深亞微公尺mosfet模型. 可用於模擬和數字電路模擬.模型考慮了：
(1) 閾值電壓下降,
(2) 非均勻摻雜效應,
(3) 垂直電場引起的遷移率下降,
(4) 載流子極限漂移速度引起的 溝道電流飽和效應,
(5) 溝道長度調製
(6) 漏源電源引起的表面勢壘降低而使閾值電壓下降的靜 電反饋效應.
(7) 襯底電流引起的體效應
(8) 亞閾值導通效應
(9) 寄生電阻效應
(1)直流特性：
(2)瞬態特性:
Verilog HDL 與數位電路設計
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