今天來聊一聊關於sdram的重新整理操作，sdram的全稱：同步動態隨機訪問記憶體（synchronous dynamic random-access memory），動態就體現於sdram晶元需要每隔特定的時間就需要進行一次重新整理操作，用於保證已經被寫入的資料不丟失。由此可以發現，重新整理操作是很關鍵的操作，重新整理操作不及時，會造成資料的丟失，這在系統中是絕對不容許發生的事情，甚至造成嚴重的後果。
每個sdram晶元的手冊首頁都會有這樣一條，以美光的一款sdram mt48lc16m16a2為例，如下圖所示：
上圖中表示的就是在64ms內，需要進行8192次重新整理，可以算出多久就需要重新整理一次，即64000us/8192次=7.8125us/次；這裡要注意一下，這個重新整理頻率是乙個臨界值，一般為了保證能夠滿足需求，重新整理周期要設計的比7.8125us稍微小一點，這樣就能夠保證64ms內能夠重新整理夠8192次，當然也不能太小了，一直讓sdram進行重新整理，資料固然是丟不了了，但是重新整理過程我們是無法進行讀、寫操作的，會大大壓縮留給我們讀寫的時間，使得我們的設計讀寫能力不夠。
可以考慮下，這款晶元的行位址一共有13bit，也就是說剛好每個bank都會有8192行，由此可以看出重新整理周期和行數是否有某種神秘關係呢，這裡不做過多的討論了…
下面來看一下重新整理的時序圖，了解下重新整理的時序過程：
將重新整理過程總結如下：
首先執行一次precharge 命令，一般選擇對所有bank進行操作；
至少 等待 trp時間，在此期間需要執行nop命令，所有的bank將會進入idle state；
執行一次atuto refresh 命令；
至少等待trfc時間，在此期間需要執行nop命令；
執行一次atuto refresh 命令；
至少等待trfc時間，在此期間需要執行nop命令；
至此sdram的重新整理已經完成，可以進行後續的各種命令操作。
注意下時序圖中的notes，trfc期間除了nop和inhibit命令以外，不要給其他命令，在fpga設計中就是得注意我們時序邏輯中的最後乙個else，決定暫存器是保持輸出，還是進入乙個預設狀態，**設計時需注意。
同樣補充乙個命令列表，sdram各種控制命令是通過控制幾個引腳配合來完成的：
就到這裡了，sdram系列持續更新中…
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