sdram的重新整理操作
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重新整理操作分為兩種：自動重新整理（auto refresh，簡稱 ar）與自重新整理（self refresh，簡稱 sr）。不論是何種重新整理方式，都不需要外部提供行位址資訊，因為這是乙個內部的自動操作。對於 ar， sdram 內部有乙個行位址生成器（也稱重新整理計數器）用來自動的依次生成行位址。由於重新整理是針對一行中的所有儲存體進行，所以無需列定址，或者說 cas 在 ras 之前有效。所以，ar 又稱 cbr（cas before ras，列提前於行定位）式重新整理。由於重新整理涉及到所有 l-bank，因此在重新整理過程中，所有 l-bank 都停止工作，而每次重新整理所占用的時間為 9 個時鐘周 期（pc133 準），之後就可進入正常的工作狀態，也就是說在這 9 個時鐘期間內，所有工作指令只能等待而無法執行。64ms 之後則再次對同一行進行重新整理，如此周而復始進行迴圈重新整理。顯然，重新整理操作肯定會對sdram 的效能造成影響，但這是沒辦法的事情，也是 dram 相對於 sram（靜態記憶體，無需重新整理能保留資料）取得成本優勢的同時所付出的代價。sr 則主要用於休眠模式低功耗狀態下的資料儲存，這方面最著名的應用就是str（suspend to ram，休眠掛起於記憶體）。在發出 ar 命令時，將 cke 置於無效狀態，就進入了 sr 模式，此時不再依靠系統時鐘工作，而是根據內部的時鐘進行重新整理操作。在 sr 期間除了 cke 之外的所有外部訊號都是無效的（無需外部提供重新整理指令），只有重新使 cke 有效才能退出自重新整理模式並進入正常操作狀態。
SDRAM晶元的預充電與重新整理操作
預充電 由於sdram的定址具有獨占性，所以在進行完讀寫操作後，如果要對同一l bank的另一行進行定址，就要將原來有效 工作 的行關閉，重新傳送行 列 位址。l bank關閉現有工作行，準備開啟新行 的操作就是預充電 precharge 預充電可以通過命令控制，也可以通過輔助設定讓晶元在每次讀寫操...
SDRAM控制器設計（4）自動重新整理 自重新整理操作
ps 重新整理 預充電 重新整理操作與預充電中重寫的操作一樣，都是用s amp先讀再寫。但為什麼有預充電操作還要進行重新整理呢？因為預充電是對乙個或所有l bank中的工作行操作，並且是不定期的，而重新整理則是有固定的週期，依次對所有行進行操作，以保留那些久久沒有經歷重寫的儲存體中的資料。但與所有l...
SDRAM設計之重新整理（二）
今天來聊一聊關於sdram的重新整理操作，sdram的全稱 同步動態隨機訪問記憶體 synchronous dynamic random access memory 動態就體現於sdram晶元需要每隔特定的時間就需要進行一次重新整理操作，用於保證已經被寫入的資料不丟失。由此可以發現，重新整理操作是很...