ldo dc/dc電源的工作原理和區別；
二極體的分類和差異
三極體 mos管的分類和差異
鋰離子電池 charger的工作原理
電容的分類和差異
上面這些是設計中用到的基本的器件，針對每一項寫乙個ppt，學習一下，後面做設計和除錯的時候會方便些。
ldo dc/dc電源的工作原理和區別
ldo：low dropout regulator，低壓差線性穩壓器。
基本電路組成：串聯調整管(vt), 取樣電阻(r1,r2), 比較放大器(a)
基本工作原理：取樣電壓加在比較器a的同相輸入端，與加在反相輸入端的基準電壓uref相比較，兩者的差值經放大器a放大後，控制串聯調整管的壓降，從而穩定輸出電壓。當輸出電壓uout降低時，基準電壓與取樣電壓的差值增加，比較放大器輸出的驅動電流增加，串聯調整管壓降減小，從而使輸出電壓公升高。相反，若輸出電壓uout超過所需要的設定值，比較放大器輸出的前驅動電流減小，從而使輸出電壓降低。供電過程中，輸出電壓校正連續進行，調整時間只受比較放大器和輸出電晶體迴路反應速度的限制。
注：vt是pnp型，參考電壓要大於取樣電壓。實際ldo還會加入其它功能，比如負載短路保護，過壓關斷，過熱關斷，反接保護等，而且串聯調整管也可以採用mosfet。
工作原理：
下圖是根據實物剖析而來，電源經d2、r1為ic1提供+12v左右的電壓，6腳輸出脈衝經c4和變壓器耦合後驅動q1振盪，當q1導通後輸出電流通過l經c9濾波後向負載供電，當q1截止時，變壓器式電感b3磁能轉變為電能，其極性左負右正，續流二極體d4導通，電流通過二極體繼續向負載供電，使負載得到平滑的直流，當輸出電壓過低或過高時，從電阻r11、r10、r9組成的分壓電路中得到取樣電壓送到ic1 2腳與內部2.5v基準電壓比較後控制q1導通脈寬，從而使輸出電壓得到穩定。當負載電流發生短路或超過8a時，ic1 3腳電壓的上公升會控制脈寬使q1截止，以確保q1的安全。
c8和r7構成振盪時間常數，本電路的振盪頻率為65khz，其計算公式為下：
2. 二極體的分類和差異
二極體是一種只允許電流由單一方向流過具有兩個電極的裝置，許多的使用都是應用其整流的功能
二極體按作用可以分為:
整流二極體，肖特基二極體，穩壓二極體，快恢復二極體，發光二極體，
整流二極體：
整流二極體的特性是工作頻率低，允許通過的正向電流比較大、反向擊穿電壓高、允許的工作的溫度高。整流二極體的作用是將交流變為直流。國產的整流二極體有2zd系列，進口的二極體有in4001、in5401等系列。
肖特基二極體：
一般二極體是以半導體-半導體產生pn接觸面；從導通壓降上來看，一般二極體的導通壓降為0.7-1.3v，而肖特基二極體的導通壓降只有 0.15-0.45v，這極大地提高了系統的效率；肖特基二極體與一般二極體的最大差異在於反向恢復時間，一般二極體的反向恢復時間大概是幾百納秒，高速 二極體的恢復時間大概在一百納秒以下，肖特基二極體的恢復時間大概是幾十ps，這點時間是可以忽略不計的，快恢復特性使系統減小了emi干擾並且提高了系 統的效率。但是肖特基二極體也有一些缺點，比如：能承受的反向偏壓較低，一般低於200v，不過現在貌似已近有上千伏的出現，反向漏電流較大，受溫度的影 響也比較大。所以適用於低功耗、高頻的應用場合。
應用：肖特基二極體可以用在低壓、大電流的整流、續流暢場合。
穩壓二極體：
穩壓二極體是由矽材料製成的面結合型晶體二極體，它是利用pn結反向擊穿時電壓基本不隨電流變化的特點，來達到穩壓的目的，因為它在電路中起到穩壓的目的，故稱之為穩壓二極體。
快恢復二極體:
快恢復二極體具有開關特性好、反向恢復時間短、正向電流大等特性。可作高頻、大電流的整流、續流二極體、在開關電源、脈寬調變器、不間斷電源等電子裝置中得到廣泛的應用。
發光二極體：
用磷化鎵、磷砷化鎵材料製成，體積小、正向驅動發光。工作電壓低、工作電流小。發光均勻、壽命長，可發紅、黃、綠單色光。
三極體 mos管的分類和差異
在三極體中空穴和自由電子都參與導電，稱為雙極性器件，用bjt表示。三極體分為npn型三極體和pnp型三極體兩種型別，三極體是電流控制性元器件，**較低，功耗較大，常用在數位電路開關控制。
場效電晶體只有多子導電，稱為單極型器件，用fet表示。由於多子的濃度不受外界溫度、光照、輻射的影響，在環境變化劇烈的條件下選擇fet比較合適。mos管分為p溝道型mos管和n溝道型mos管之分
在放大狀態工作時,三極體發射結正偏，有基極電流,為電流控制器件，相應的輸入電阻較小，約103ω；fet在放大狀態工作時無柵極電流，為電壓控制器件，輸入電阻很大，jfet的輸入電阻大於107ω，mos管的輸入電阻大於109ω。
場效電晶體的源極和漏極在結構上對稱，可以互換使用，但應注意有時廠家已將mos管的源極與襯底在管內已經短接，使用時就不能互換。對耗盡型mos管的vgs可正、可負、可為零，使用時比較靈活。三極體的集電極和發射極一般不能互換使用。
電容的分類和差異
（1）貼片電容可分為無極性和有極性兩種，容值範圍從0.22pf-100uf
1、無極性電容下述兩類封裝最為常見，即0805、0603；
英製尺寸 公制尺寸 長度 寬度 厚度
0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05s
0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10
0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20
1206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20
1210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.30
1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00
1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50
2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50
3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00
一般容值越小，耐壓值可做到越大，常見耐壓有6.3v、10v、16v、25v、50v、100v、200v、500v、1000v、2000v、3000v、 4000v。
2、有極性電容以鉭電容為多，根據其耐壓不同，貼片電容又可分為a、b、c、d四個系列，具體如下：
型別 封裝形式 耐壓
a 3216 10v
b 3528 16v
c 6032 25v
d 7343 35v
2）常用電容的標識精度級別
b+_0.1% c+_0.25% d+_0.5% f+_1% g+_2% j+_5% k+_10% m+_20% n+_30%
3）各種貼片電容的特性
貼片電容的材料常規分為三種，npo,x7r,，x5r，y5v，鉭電容
npo 此種材質電效能最穩定，幾乎不隨溫度，電壓和時間的變化而變化，適用於低損耗，穩定性要求要的高頻電路。容量精度在5％左右，但選用這種材質只能做容量較小的，常規100pf 以下，100pf至 1000pf 也能生產但**較高 。
x7r 此種材質比npo 穩定性差，但容量做的比npo 的材料要高，耐壓高，容量精度在10％左右，電容量一般在100pf～2.2f之間。
y5v 此類介質的電容，其穩定性較差，容量偏差在20％左右，對溫度電壓較敏感，但這種材質能做到很高的容量，而且**較低，適用於溫度變化不大的電路中。電容量範圍較大，一般為1000pf～100f。
x5r容量小，體積小，適用於計算機、電源和汽車電路中退耦、輸出濾波等應用。
鉭電容 體積小、容量大、漏電流低、使用壽命長、綜合性能優異，是最優秀的電容器，不僅在常規條件下比陶瓷、鋁、薄膜等其它電容器體積小、容量高、功能穩定，而且能在許多為其它電容器所不能勝任的嚴峻條件下正常工作。廣泛用於高頻濾波像hi-fi系統。
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