std3nk60z-1
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資料列表stx3nk60z(-1,fp);
標準包裝 75包裝 管件 零件狀態不適用於新設計類別分立半導體產品產品族電晶體 - fet，mosfet - 單系列supermesh
規格fet 型別n 溝道技術mosfet（金屬氧化物）漏源電壓（vdss）600v電流 - 連續漏極（id）（25°c 時）2.4a（tc）驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）10v不同 id，vgs 時的 rds on（最大值）3.6 歐姆 @ 1.2a，10v不同 id 時的 vgs（th）（最大值）4.5v @ 50µa不同 vgs 時的柵極電荷 （qg）（最大值）11.8nc @ 10vvgs（最大值）±30v不同 vds 時的輸入電容（ciss）（最大值）311pf @ 25vfet 功能-功率耗散（最大值）45w（tc）工作溫度-55°c ~ 150°c（tj）安裝型別通孔**商器件封裝i-pak封裝/外殼to-251-3 短引線，ipak，to-251aa
文件**模型std3nk60z-1 spice model
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