rom和ram指的都是半導體儲存器，rom在系統停止供電的時候仍然可以保持資料，而ram通常都是在掉電之後就丟失資料，典型的ram就是計算機的記憶體。
ram有兩大類，一種稱為靜態ram（static ram/sram），sram速度非常快，是目前讀寫最快的儲存裝置了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如cpu的一級緩衝，二級緩衝。另一種稱為動態ram（dynamic ram/dram），dram保留資料的時間很短，速度也比sram慢，不過它還是比任何的rom都要快，但從**上來說dram相比sram要便宜很多，計算機記憶體就是dram的。
dram分為很多種，常見的主要有fpram/fastpage、edoram、sdram、ddr ram、rdram、sgram以及wram等，這裡介紹其中的一種ddr ram。
ddr ram（date-rate ram）也稱作ddr sdram，這種改進型的ram和sdram是基本一樣的，不同之處在於它可以在乙個時鐘讀寫兩次資料，這樣就使得資料傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的記憶體。在很多高階的顯示卡上，也配備了高速ddr ram來提高頻寬，這可以大幅度提高3d加速卡的畫素渲染能力。
rom也有很多種，prom是可程式設計的rom，prom和eprom（可擦除可程式設計rom）兩者區別是，prom是一次性的，也就是軟體灌入後，就無法修改了，這種是早期的產品，現在已經不可能使用了，而eprom是通過紫外光的照射擦出原先的程式，是一種通用的儲存器。另外一種eeprom是通過電子擦出，**很高，寫入時間很長，寫入很慢。
flash儲存器又稱快閃儲存器，它結合了rom和ram的長處，不僅具備電子可擦除可程式設計（eeprom）的效能，還不會斷電丟失資料同時可以快速讀取資料（nvram的優勢），u盤和***裡用的就是這種儲存器。在過去的20年裡，嵌入式系統一直使用rom（eprom）作為它們的儲存裝置，然而近年來flash全面代替了rom（eprom）在嵌入式系統中的地位，它用作儲存bootloader以及作業系統或者程式**，或者直接當硬碟使用（u盤）。
目前flash主要有nor flash和nadn flash。
nor和nand是現在市場上兩種主要的非易失快閃儲存器技術。intel於2023年首先開發出nor flash技術，徹底改變了原先由eprom和eeprom一統天下的局面。緊接著，2023年，東芝公司發表了nand flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕鬆公升級。
大多數情況下快閃儲存器只是用來儲存少量的**，這時nor快閃儲存器更適合一些。而nand則是高資料儲存密度的理想解決方案。
nor一般只用來儲存少量的**；nor主要應用在**儲存介質中。nor的特點是應用簡單、無需專門的介面電路、傳輸效率高，它是屬於晶元內執行(xip, execute in place)，這樣應用程式可以直接在（nor型）flash快閃儲存器內執行，不必再把**讀到系統ram中。但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的效能。nor flash帶有sram介面，有足夠的位址引腳來定址，可以很容易地訪問其內部的每乙個位元組。nor flash佔據了容量為1～16mb快閃儲存器市場的大部分。
nand結構能提供極高的單元密度，可以達到高儲存密度，並且寫入和擦除的速度也很快。應用nand的困難在於nand flash的管理需要特殊的系統介面。
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