記憶體(ram或rom)和flash儲存的真正區別總結
1）rom是read only memory的縮寫
是一種半導體記憶體，其特性是一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經常變更資料的電子或電腦系統中，資料並且不會因為電源關閉而消失。
只能讀出事先所存資料的固態半導體儲存器。英文簡稱rom。rom所存資料，一般是裝入整機前事先寫好的，整機工作過程中只能讀出，而不像隨機儲存器那樣能快速地、方便地加以改寫。rom所存資料穩定 ，斷電後所存資料也不會改變；其結構較簡單，讀出較方便，因而常用於儲存各種固定程式和資料。除少數品種的唯讀儲存器（如字元發生器）可以通用之外，不同使用者所需唯讀儲存器的內容不同。
2）ram是random access memory的縮寫。
又稱為隨機訪問儲存器；儲存單元的內容可按需隨意取出或存入，且訪問的速度與儲存單元的位置無關的儲存器。這種儲存器在斷電時將丟失其儲存內容，故主要用於儲存短時間使用的程式。
簡單地說，在計算機中，ram 、rom都是資料儲存器。ram 是隨機訪問儲存器，它的特點是易揮發性，即掉電失憶。rom 通常指固化儲存器(一次寫入，反覆讀取)，它的特點與ram 相反。rom又分一次性固化、光擦除和電擦除重寫兩種型別。
rom在系統停止供電的時候仍然可以保持資料，而ram通常都是在掉電之後就丟失資料，典型的ram就是計算機的記憶體。
ram分為兩大類：
1）一種稱為靜態ram（static ram/sram），sram速度非常快，是目前讀寫最快的儲存裝置了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如cpu的一級緩衝，二級緩衝。
2）另一種稱為動態ram（dynamic ram/dram），dram保留資料的時間很短，速度也比sram慢，不過它還是比任何的rom都要快，但從**上來說dram相比sram要便宜很多，計算機記憶體就是dram的。
dram分為很多種，常見的主要有fpram/fastpage、edoram、sdram、ddr ram、rdram、sgram以及wram等，這裡介紹其中的一種ddr ram。
ddr ram（date-rate ram）也稱作ddr sdram，這種改進型的ram和sdram是基本一樣的，不同之處在於它可以在乙個時鐘讀寫兩次資料，這樣就使得資料傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的記憶體，而且它有著成本優勢，事實上擊敗了intel的另外一種記憶體標準－rambus dram。在很多高階的顯示卡上，也配備了高速ddr ram來提高頻寬，這可以大幅度提高3d加速卡的畫素渲染能力。
再不明白的請看例子：
舉個例子，手機軟體一般放在eeprom中，我們打**，有些最後撥打的號碼，暫時是存在sram中的，不是馬上寫入通過記錄（聯絡歷史儲存在eeprom中），因為當時有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓使用者忍無可忍的。
flash儲存器又稱快閃儲存器，它結合了rom和ram的長處，不僅具備電子可擦除可程式設計（eeprom）的效能，還不會斷電丟失資料同時可以快速讀取資料（nvram的優勢），u盤和***裡用的就是這種儲存器。在過去的20年裡，嵌入式系統一直使用rom（eprom）作為它們的儲存裝置，然而近年來flash全面代替了rom（eprom）在嵌入式系統中的地位，用作儲存bootloader以及作業系統或者程式**或者直接當硬碟使用（u盤）。
目前flash主要有兩種nor flash和nadn flash。
nor flash的讀取和我們常見的sdram的讀取是一樣，使用者可以直接執行裝載在nor flash裡面的**，這樣可以減少sram的容量從而節約了成本。
nand flash沒有採取記憶體的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個位元組，採用這種技術的flash比較廉價。使用者不能直接執行nand flash上的**，因此好多使用nand flash的開發板除了使用nand flah以外，還作上了一塊小的nor flash來執行啟動**。
RAM ROM和flash區別與聯絡
ram random access memory 的全名為隨機訪問記憶體，它相當於pc機上的移動儲存，用來儲存和儲存資料的。它在任何時候都可以讀寫，ram通常是作為作業系統或其他正在執行程式的臨時儲存介質 可稱作系統記憶體 不過，當電源關閉時ram不能保留資料，如果需要儲存資料，就必須把它們寫入到乙...
RAM ROM和硬碟的區別
很久就對儲存相關的介質感興趣，一直不清楚電腦裡的儲存介質，比如 硬碟，光碟，記憶體，快取都是什麼？手機上的記憶體和儲存又是什麼？u盤又是什麼介質？這些都困擾著我，重點是我還是嵌入式的，這就很尷尬了。計算機的儲存器分為主儲存器和輔助儲存器，主儲存器又稱記憶體儲器 簡稱記憶體 輔助儲存器又稱外儲存器 簡...
EEPROM 和 FLASH的區別
eeprom,eprom,flash都是基於一種浮柵管單元 floating gate transister 的結構。eprom的浮柵處於絕緣的二氧化矽層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出，eeprom的單元是由flotox floating gate tuneling oxide transi...