sdram的內部是乙個儲存陣列。因為如果是管道式儲存（就如排隊買票），就很難做到隨機訪問了。
陣列就如同**一樣，將資料「填」進去，你可以把它想象成一張**。和**的檢索原理一樣，先指定乙個行（row），再指定乙個列（column），我們就可以準確地找到所需要的單元格，這就是記憶體晶元定址的基本原理。對於記憶體，這個單元格可稱為儲存單元,那麼這個**（儲存陣列）叫什麼呢？它就是邏輯bank（logical bank，下文簡稱l-bank）。
l-bank儲存陣列示意圖
由於技術、成本等原因，不可能只做乙個全容量的l-bank，而且最重要的是，由於sdram的工作原理限制，單一的l-bank將會造成非常嚴重的定址衝突，大幅降低記憶體效率。所以人們在sdram內部分割成多個l-bank，較早以前是兩個，目前基本都是4個，這也是sdram規範中的最高l-bank數量。到了rdram則最多達到了32個，在最新ddr-ⅱ的標準中，l-bank的數量也提高到了8個。
這樣，在進行定址時就要先確定是哪個l-bank，然後再在這個選定的l-bank中選擇相應的行與列進行定址。可見對記憶體的訪問，一次只能是乙個l-bank工作，而每次與北橋交換的資料就是l-bank儲存陣列中乙個「儲存單元」的容量。在某些廠商的表述中，將l-bank中的儲存單元稱為word（此處代表位的集合而不是位元組的集合）。
sdram的乙個儲存單元並不是儲存乙個bit，一般是8bit的整數倍（8bits,16bits,32bits），這個儲存單元的容量就是晶元的位寬（也是l-bank的位寬），sdram記憶體晶元一次傳輸率的資料量就是晶元位寬。
SDRAM晶元中的DQM訊號的理解
資料掩碼 在講述讀 寫操作時，我們談到了突發長度。如果bl 4，那麼也就是說一次就傳送4 64bit的資料。但是，如果其中的第二筆 資料是不需要的，怎麼辦？還都傳輸嗎？為了遮蔽不需要的資料，人們採用了資料掩碼 data i o mask，簡稱dqm 技術。通過dqm，記憶體可以控制i o埠取消哪些輸...
基於FPGA的SDRAM設計 SDRAM的初始化
基於fpga的sdram設計 sdram的初始化 先引乙個圖說明一下sdram的初始化過程吧，這樣來的直觀一些 這便是sdram在開機時的初始化過程，上電後要有200us的輸入穩定期，在這個時間內不可以對sdram的介面做任何操作 200us以後就是要對所有l bank預充電，再往後給sdram 8...
SDRAM的工作原理
sdram synchronous dynamic random access memory，同步動態隨機儲存器，同步是指 memory工作需要同步時鐘，內部的命令的傳送與資料的傳輸都以它為基準 動態是指儲存陣列需要不斷的重新整理來保證資料不丟失 隨機是指資料不是線性依次儲存，而是自由指定位址進行資...