SI2325DS T1 GE3詳情引數

2021-09-25 00:10:52 字數 528 閱讀 3744

si2325ds-t1-ge3規格

fet 型別 p 溝道

技術 mosfet(金屬氧化物)

漏源電壓(vdss) 150v

電流 - 連續漏極(id)(25°c 時) 530ma(ta)

驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on) 6v,10v

不同 id,vgs 時的 rds on(最大值) 1.2 歐姆 @ 500ma,10v

不同 id 時的 vgs(th)(最大值) 4.5v @ 250µa

不同 vgs 時的柵極電荷 (qg)(最大值) 12nc @ 10v

vgs(最大值) ±20v

不同 vds 時的輸入電容(ciss)(最大值) 510pf @ 25v

fet 功能 -

功率耗散(最大值) 750mw(ta)

工作溫度 -55°c ~ 150°c(tj)

安裝型別 表面貼裝

**商器件封裝 sot-23-3(to-236)

封裝/外殼 to-236-3,sc-59,sot-23-3

poj解題報告 2325

題目讀了好長時間,鬱悶。題意 給定乙個數n,求乙個數m,要求 將m的各個位的數相乘得到n,m最小。思路 用到高精度除法,將給定的數從9開始試除,接著試除8,7,6,5,4,3,2.若結果 n仍大於一位數,則說明n有大於10的質因子,否則,倒序輸出試除到數。關鍵在於一開始我沒想到是倒著由大到小除,看了...

zoj 2325 線段相交

本題可以直接排序再算可以看到全部的那段線段長度,也可以用相似三角形來做,我選擇後者 具體方法 先把障礙物按x從小到大排序,然後就遍歷,令top l.x1,記得要先連線a i x1與hou.x2,再用相似三角形求出要求區域的右端點,在類似的求出區域的左端點,要注意不能超過l.x2,因為最後還要l.x2...

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