微控制器執行時的資料都存在於ram（隨機儲存器）中，在掉電後ram 中的資料是無
法保留的，那麼怎樣使資料在掉電後不丟失呢？這就需要使用eeprom 或flashrom 等
儲存器來實現。在傳統的微控制器系統中，一般是在片外擴充套件儲存器，微控制器與儲存器之間通
過iic 或spi 等介面來進行資料通訊。這樣不光會增加開發成本，同時在程式開發上也要花
更多的心思。在stc 微控制器中內建了eeprom（其實是採用iap 技術讀寫內部flash 來
實現eeprom），這樣就節省了片外資源，使用起來也更加方便。下面就詳細介紹stc 單
片機內建eeprom 及其使用方法。
flash是用來放程式的，可以稱之為程式儲存器，可以擦出寫入但是基本都是整個扇區進行的.
一般來說 微控制器裡的flash都用於存放執行**，在執行過程中不能改；
eeprom是用來儲存使用者資料，執行過程中可以改變，比如乙個時鐘的鬧鈴時間初始化設定為12：00，後來在執行中改為6：00，這是儲存在eeprom裡，不怕掉電，就算重新上電也不需要重新調整到6：00
下面是網上詳細的說法，感覺不錯：
flash 和eeprom的最大區別是flash按扇區操作，eeprom則按位元組操作，二者定址方法不同，儲存單元的結構也不同，flash的電路結構較簡單，同樣容量佔晶元面積較小，成本自然比eeprom低，因而適合用作程式儲存器，eeprom則更多的用作非易失的資料儲存器。當然用flash做資料儲存器也行，但操作比eeprom麻煩的多，所以更「人性化」的mcu設計會整合flash和eeprom兩種非易失性儲存器，而廉價型設計往往只有 flash，早期可電擦寫型mcu則都是eeprm結構，現在已基本上停產了。
在晶元的內電路中，flash和eeprom不僅電路不同，位址空間也不同，操作方法和指令自然也不同，不論馮諾伊曼結構還是哈佛結構都是這樣。技術上，程式儲存器和非易失資料儲存器都可以只用falsh結構或eeprom結構，甚至可以用「變通」的技術手段在程式儲存區模擬「資料儲存區」，但就算如此，概念上二者依然不同，這是基本常識問題。
eeprom：電可擦除可程式設計唯讀儲存器，flash的操作特性完全符合eeprom的定義，屬eeprom無疑，首款flash推出時其資料手冊上也清楚的標明是eeprom，現在的多數flash手冊上也是這麼標明的，二者的關係是「白馬」和「馬」。至於為什麼業界要區分二者，主要的原因是 flash eeprom的操作方法和傳統eeprom截然不同，次要的原因是為了語言的簡練，非正式檔案和口語中flash eeprom就簡稱為flash，這裡要強調的是白馬的「白」屬性而非其「馬」屬性以區別flash和傳統eeprom。
flash的特點是結構簡單，同樣工藝和同樣晶元面積下可以得到更高容量且大資料量
下的操作速度更快，但缺點是操作過程麻煩，特別是在小資料量反覆重寫時，所以在mcu中flash結構適於不需頻繁改寫的程式儲存器。
很多應用中，需要頻繁的改寫某些小量資料且需掉電非易失，傳統結構的eeprom在此非常適合，所以很多mcu內部設計了兩種eeprom結構，flash的和傳統的以期獲得成本和功能的均衡，這極大的方便了使用者。隨著isp、iap的流行，特別是在程式儲存位址空間和資料儲存位址空間重疊的mcu系中，現在越來越多的mcu生產商用支援iap的程式儲存器來模擬eeprom對應的資料儲存器，這是低成本下實現非易失資料儲存器的一種變通方法。為在商業宣傳上取得和雙eeprom工藝的「等效」性，不少採用flash程式儲存器「模擬」（注意，技術概念上並非真正的模擬）eeprom資料儲存器的廠家紛紛宣稱其產品是帶eeprom的，嚴格說，這是非常不嚴謹的，但商人有商人的目的和方法，用flash「模擬」eeprom可以獲取更大商業利益，所以在事實上，技術概念混淆的始作俑者正是他們。
從成本上講，用flash「模擬」eeprom是合算的，反之不會有人幹，用eeprom模擬flash是怎麼回事呢？這可能出在某些程式儲存空間和資料儲存空間連續的mcu上。這類mcu中特別是儲存容量不大的低端mcu依然採用eeprom作為非易失儲存器，這在成本上反而比採用flash和傳統eeprom雙工藝的設計更低，但這種現象僅僅限於小容量前提下。因flash工藝的流行，現在很多商人和不夠嚴謹的技術人員將程式儲存器稱為flash，對於那些僅採用傳統eeprom工藝的mcu而言，他們不求甚解，故而錯誤的將eeprom程式儲存器稱為「 模擬flash」，根本的原因是他們未理解flash只是一種儲存器結構而非儲存器的用途，錯誤的前提自然導致錯誤的結論。商業上講，用eeprom模擬 flash是不會有人真去做的愚蠢行為，這違背商業追求最大利益的原則，技術上也不可行，而對於技術人員而言。本質的問題是flash是一種儲存器型別而非mcu中的程式儲存器，即使mcu的程式儲存器用的是flash，但其逆命題不成立
EEPROM 和 FLASH的區別
eeprom,eprom,flash都是基於一種浮柵管單元 floating gate transister 的結構。eprom的浮柵處於絕緣的二氧化矽層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出，eeprom的單元是由flotox floating gate tuneling oxide transi...
EEPROM和flash的區別
之前對各種儲存器一直不太清楚，今天總結一下。儲存器分為兩大類 ram和rom。ram就不講了，今天主要討論rom。rom最初不能程式設計，出廠什麼內容就永遠什麼內容，不靈活。後來出現了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認倒霉。人類文明不斷進步，終於出現了可多次擦除寫入的eprom...
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