不同型號的 stm32，其 flash 容量也有所不同，最小的只有 16k 位元組，最大的則達到了 1024k 位元組。市面上 stm32f1 開發板使用的晶元是 stm32f103系列，其 flash 容量一般為 512k 位元組，屬於大容量晶元。大容量產品的 flash 模組組織結構如圖 40.1.1 所示：
stm32f1 的快閃儲存器（flash）模組由：主儲存器、資訊塊和快閃儲存器儲存器介面暫存器等 3 部分組成。下面我們就來介紹下這些組成部分：
①主儲存器。該部分用來存放**和資料常數（如 const 型別的資料）。對於大容量產品，其被劃分為 256 頁，每頁 2k 位元組。注意，小容量和中容量產品則每頁只有 1k 位元組。從上圖可以看出主儲存器的起始位址就是0x08000000， boot0、boot1 都接 gnd 的時候，就是從 0x08000000 開始執行**的。
③快閃儲存器儲存器介面暫存器。該部分用於控制快閃儲存器讀寫等，是整個快閃儲存器模組的控制機構。對主儲存器和資訊塊的寫入由內嵌的快閃儲存器程式設計/擦除控制器(fpec)管理；程式設計與擦除的高電壓由內部產生。
在執行快閃儲存器寫操作時，任何對快閃儲存器的讀操作都會鎖住匯流排，在寫操作完成後讀操作才能正確地進行；既在進行寫或擦除操作時，不能進行**或資料的讀取操作。
下面我們就來看下如何對快閃儲存器進行讀取、程式設計和擦除。
（1）快閃儲存器的讀取
stm32f1 可通過內部的 i-code 指令匯流排或 d-code 資料匯流排訪問內建快閃儲存器模組，本章我們主要講解資料讀寫，即通過 d-code 資料匯流排來訪問內部快閃儲存器模組。為了準確讀取 flash 資料，必須根據 cpu 時鐘 (hclk) 頻率和器件電源電壓在 flash 訪問控制暫存器 (flash_acr)中正確地設定等待週期數(latency)。當電源電壓低於 2.1v 時，必須關閉預取緩衝器。 flash 等待週期與 cpu 時鐘頻率之間的對應關係，如圖 40.1.2 所示：
等待週期通過 flash_acr 暫存器的 latency[2:0]三個位設定。系統復位後， cpu 時鐘頻率為內部 16m rc 振盪器， latency 預設是 0，即 1 個等待週期。供電電壓，我們一般是 3.3v，所以，在我們設定 72mhz 頻率作為 cpu 時鐘之前，必須先設定 latency 為 3，否則 flash 讀寫可能出錯，導致宕機。stm23f1 的 flash 讀取是很簡單的。例如，我們要從位址 addr，讀取乙個字（位元組為 8 位，半字為 16 位，字為 32 位），可以使用如下方法來讀取：data=*(vu32*)addr;
將 addr 強制轉換為 vu32 指標，然後取該指標所指向的位址的值，即得到了 addr 位址內的值。類似的，將上面的 vu32 改為 vu16，即可讀取指定位址的乙個半字。相對 flash 讀取來說，stm32f1 flash 的寫就複雜一點了，下面我們介紹 stm32f1 快閃儲存器的程式設計和擦除。
（2）快閃儲存器的程式設計和擦除
stm32 的快閃儲存器程式設計是由 fpec（快閃儲存器程式設計和擦除控制器）模組處理的，這個模組包含 7 個 32 位暫存器，他們分別是：
① fpec 鍵暫存器(flash_keyr)
② 選擇位元組鍵暫存器(flash_optkeyr)
③ 快閃儲存器控制暫存器(flash_cr)
④ 快閃儲存器狀態暫存器(flash_sr)
⑤ 快閃儲存器位址暫存器(flash_ar)
⑥ 選擇位元組暫存器(flash_obr)
⑦ 寫保護暫存器(flash_wrpr)
其中 fpec 鍵暫存器總共有 3 個鍵值：
rdprt 鍵=0x000000a5
key1=0x45670123
key2=0xcdef89ab
stm32 復位後， fpec 模組是被保護的，不能寫入 flash_cr 暫存器；通過寫入特定的序列到 flash_keyr 暫存器可以開啟 fpec 模組（即寫入 key1 和key2），只有在寫保護被解除後，我們才能操作相關暫存器。
stm32 快閃儲存器的程式設計每次必須寫入 16 位（不能單純的寫入 8 位資料），當flash_cr 暫存器的 pg 位為』1』時，在乙個快閃儲存器位址寫入乙個半字將啟動一次程式設計；寫入任何非半字的資料， fpec 都會產生匯流排錯誤。在程式設計過程中(bsy 位為』1』 )，任何讀寫快閃儲存器的操作都會使 cpu 暫停，直到此次快閃儲存器程式設計結束。
同樣，stm32 的 flash 在程式設計的時候，也必須要求其寫入位址的 flash 是被擦除了的（也就是其值必須是 0xffff），否則無法寫入，在 flash_sr 暫存器的 pgerr 位將得到乙個警告。stm32 的 flash 程式設計過程如下：
從上圖可以得到快閃儲存器的程式設計順序如下：
① 檢查 flash_cr 的 lock 是否解鎖，如果沒有則先解鎖
② 檢查 flash_sr 暫存器的 bsy 位，以確認沒有其他正在進行的程式設計操作
③ 設定 flash_cr 暫存器的 pg 位為』1』
④ 在指定的位址寫入要程式設計的半字
⑤ 等待 bsy 位變為』0』
⑥ 讀出寫入的位址並驗證資料
前面提到，我們在 stm32 的 flash 程式設計的時候，要先判斷縮寫位址是否被擦除了，所以我們有必要再介紹一下 stm32 的快閃儲存器擦除， stm32 的快閃儲存器擦除分為兩種：頁擦除和整片擦除。頁擦除過程如下所示：
從上圖可以看出，stm32 的頁擦除順序為：①檢查 flash_cr 的 lock 是否解鎖，如果沒有則先解鎖；
②檢查 flash_sr 暫存器中的 bsy 位，確保當前未執行任何 flash 操作；③設定 flash_cr 暫存器的 per 位為』1』；④用 flash_ar 暫存器選擇要擦除的頁；⑤設定 flash_cr 暫存器的 strt 位為』1』；⑥等待 bsy 位變為』0』；⑦讀出被擦除的頁並做驗證；
我們只用到了 stm32 的頁擦除功能，整片擦除功能我們在這裡就不介紹了。通過以上了解，我們基本上知道了 stm32 快閃儲存器的讀寫所要執行的步驟了，由於篇幅限制，本文並沒有 stm32f1 內部 flash 相關暫存器進行介紹，大家可以參考相關手冊的內容，裡面有詳細的講解。
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