在我們應用開發時，經常會有一些程式執行引數需要儲存，如一些修正係數。這些資料的特點是：數量少而且不需要經常修改，但又不能定義為常量，因為每台裝置可能不一樣而且在以後還有修改的可能。將這類資料存在指定的位置，需要修改時直接修改儲存位置的數值，需要使用時則直接讀取，會是一種方便的做法。考慮到這些資料量比較少，使用專門的儲存單元既不經濟，也沒有必要，而stm32f103內部的flash容量較大，而且st的庫函式中還提供了基本的flash操作函式，實現起來也比較方便。
以大容量產品stm32f103ve為例，其flash容量達到512k，可以將其中一部分用作資料儲存。如下是大容量的flash組織模式：
根據上面的flash組織模式，我們可以根據自己的使用方便來作相應的定義。因為大容量每個扇區定義為2k，而小容量和中容量都定義為1k，所以我們做如下巨集定義：
按 ctrl+c 複製**
#define flash_size 512 //所選mcu的flash容量大小(單位為k)
#if flash_size<256
#define sector_size 1024 //位元組
#else
#define sector_size 2048 //位元組
#endif按 ctrl+c 複製**
雖然st的庫函式比較全面，但都是基本操作，為了使用方面，根據我們自己的需要對其進行再次封裝。
對於讀操作相對比較簡單，內建快閃儲存器模組可以在通用位址空間直接定址，就像讀取變數一樣。
按 ctrl+c 複製**
//從指定位址開始讀取多個資料
void flash_readmoredata(uint32_t startaddress,uint16_t *readdata,uint16_t counttoread)
flash_unlock(); //解鎖寫保護
uint32_t offsetaddress=startaddress-flash_base; //計算去掉0x08000000後的實際偏移位址
uint32_t sectorposition=offsetaddress/sector_size; //計算扇區位址，對於stm32f103vet6為0~255
uint32_t sectorstartaddress=sectorposition*sector_size+flash_base; //對應扇區的首位址
flash_erasepage(sectorstartaddress);//擦除這個扇區
uint16_t dataindex;
for(dataindex=0;dataindex按 ctrl+c 複製**
在擦除之前應該將頁面上的資料讀取出來與要寫入的資料合併，待擦除後再寫入，但這樣資料量很大（大容量是2k乙個扇區），所以考慮到是少量資料儲存，所以每次都將全部資料同時寫入，簡化操作，也減少資料處理量。經測試以上程式寫入和讀出資料均正確，可以實現內部flash的讀寫操作。需要更深入了解可以參考《stm32f10*** 快閃儲存器程式設計參考手冊》。
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