為了打破南韓在快閃儲存器上的壟斷，國內公司都在努力，之前長江儲存曾宣布，2023年開始量產64層堆疊的3d nand快閃儲存器，而今年他們還將出樣32層nand快閃儲存器。
這訊息足以讓人振奮，但就算一切進展順利，三星等廠商是在今年內全面開始量產64層堆疊快閃儲存器，所以國產與其差距也要在2年以上，而真正達到相抗衡的條件，恐怕還要等的更久。
面對國產快閃儲存器瘋狂追擊，三星自然不敢懈怠，其今天宣布將擴大中國西安工廠的nand快閃儲存器晶元產能，未來三年投資70億美元。
其實在這之前，三星已經在南韓投資186.3億美元，以鞏固其在記憶體晶元和下一代智慧型手機領域的領先地位。除了三星，東芝和sk海力士也已投入了數百億美元來推動nand快閃儲存器的生產，不過隨著高階儲存產品的普及，nand晶元的短缺問題更為嚴重。
三星現在也在通過更大規模的投資來擴大快閃儲存器、記憶體的產能，畢竟智慧型手機製造商越來越傾向選擇更大儲存。
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