市調機構dram exchange6日發布的報告顯示，2023年第四季度，三星電子nand快閃儲存器全球銷量一枝獨秀，以33.6%的市場份額雄踞榜首，市場份額是排名第二位的東芝(18.6%)的1.8倍。
在2023年第三季度，三星(31.5%)與東芝的市場份額相差11個百分點，但到了第四季度，三星全球銷售額環比增長4.2%，東芝則環比劇減11.3%，兩者差距進一步拉大。
繼三星和東芝後，美國閃迪以15.8%的市場份額位居第三位，其後依次為美國鎂光(13.9%)、sk海力士(10.1%)和因特爾(8%)等。
dram exchange方面分析稱，受到移動裝置需求低迷等因素影響，第四季度nand快閃儲存器全球銷量出現2.3%負增長，唯有三星的銷量環比增加。
NOR型快閃儲存器與NAND型快閃儲存器的區別
分類 1 快閃儲存器晶元讀寫的基本單位不同 應用程式對nor晶元操作以 字 為基本單位。為了方便對大容量nor快閃儲存器的管理，通常將nor快閃儲存器分成大小為128kb或者64kb的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移。應用程式對nand晶元操作是以 塊 為基本單位。...
NOR型快閃儲存器與NAND型快閃儲存器的區別
分類 1 快閃儲存器晶元讀寫的基本單位不同 應用程式對nor晶元操作以 字 為基本單位。為了方便對大容量nor快閃儲存器的管理，通常將nor快閃儲存器分成大小為128kb或者64kb的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移。應用程式對nand晶元操作是以 塊 為基本單位。...
NOR與NAND快閃儲存器比較
nor flash nand flash onenand flash 位址線和資料線分開 介面時序同 sram,易使用 位址 資料線復用，資料位較窄 onenand 可看作nor 和nand 技術的一種混合。從本質上來講，乙個單獨的 onenand 晶元整合了乙個 nor快閃儲存器介面，nand 快...