在前幾天發布的初期財報資料中，三星q3季度雖然面臨營收下滑5%的困境，但盈利同比增長6%，這次移動部門是沒啥指望了，讓三星大賺特賺的是半導體，不斷漲價的記憶體、快閃儲存器就是大功臣。今年智慧型手機記憶體、快閃儲存器容量不斷增加，導致市場**吃緊進而漲價，三星也瞅準了機會在年底量產***v-nand快閃儲存器，64層堆疊，屆時南韓的華城、中國的西安工廠都將是主產地。
▲中國西安的三星工廠也將是未來64層堆疊3d快閃儲存器的主產地
在3d快閃儲存器方面，三星的v-nand快閃儲存器量產時間最早，領先sk hynix、東芝、美光、intel至少兩年時間，現在已經發展到了第三代，堆疊層數48層，而美光、intel、sk hynix等公司的3d快閃儲存器不過24、36層堆疊，東芝閃迪系的bics快閃儲存器起點很高，直接上48層堆疊，但量產時間要等到明年。
今年8月份三星就**了64層堆疊的v-nand快閃儲存器了，tlc型別，核心容量提高到512gb，io介面速度800mbps。
根據三星最新的規劃，64層v-nand快閃儲存器預計會在今年底量產，南韓京畿道聲的華城市工廠已經開始準備生產了。此外，三星在中國西安的晶圓廠也會量產64層v-nand快閃儲存器，去年發布950 pro時三星就提到西安工廠是最早量產48層堆疊3d快閃儲存器的工廠，這次64層堆疊快閃儲存器量產計畫中，西安工廠也會是主產地之一。
三星還在南韓平澤市建設新的工廠，今年12月份將完成主體建築施工，最快明年4月份就能生產，這比預期的時間提前了三個月。
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