一、半導體基礎知識
（1）半導體概念
半導體，顧名思義，導電性能介於導體和絕緣體之間。常見的半導體材料主要有矽、鍺元素。相對於導體和絕緣體來說，半導體的導電性最易於控制，故人們採用各種手段試圖能夠改變一種物質的導電性，人為控制其導電性能。提到導電性可控的半導體，先從本徵半導體開始說起。本徵半導體，是一種純淨的晶體結構半導體，不含雜質，結構十分穩定。本徵半導體的載流子為空穴和自由電子兩種，一般情況下這兩種載流子的濃度是動態平衡的，所以改變導電性就要從這兩個方面入手。為了達到控制其導電性能的目的，需對其進行摻雜處理。注意這裡的摻雜，摻入的是某一種元素。對本徵半導體的一部分區域摻入+5價的磷元素，使這個區域多數載流子為自由電子，形成n區；對本徵半導體的另一部分區域摻入+3價的硼元素，使該區域多數載流子為空穴，形成p區。由於同乙個半導體兩部分區域的兩種載流子濃度不同，就會引起載流子的擴散，這裡稱作載流子的擴散運動。而一旦擴散運動開始進行，半導體內部就會形成電場，進而抑制兩種載流子的擴散，此時由於電位差，就會引起漂移運動，注意兩種運動方式的成因。若參與擴散運動和漂移運動的載流子數量相同，達到動態平衡，則此時形成pn結。當為pn結加正相電壓時，，外加電場使得多數載流子的擴散運動能夠源源不斷的進行，此時處於p區和n區之間的耗盡層變窄，導電性能增強，此時pn結處於導通狀態。
當為pn結加反向電壓時，外加電場抑制了多數載流子的擴散運動，使得少數載流子的漂移運動持續進行，由於進行漂移運動的載流子很少，其形成的電流也微乎其微，此時可視作pn結處於截至狀態。
（5）pn結電容效應
1）勢壘電容
pn結外接電壓變化時會引起空間電荷區寬度的變化，存在電荷的積累和釋放過程，此處和電容充放電的性質十分相像，故稱其具有電容特性。其等效電容稱為勢壘電容cb。pn結外加的正向電壓變化時，在擴散路程中載流子的濃度及其梯度均有變化，也有電荷的積累和釋放的過程，其等效電容稱為擴散電容cd。cj=cb+cd;（6）
二極體 三極體 場效電晶體
1 二極體導通電壓是0.7伏 矽管 0.3伏 鍺管 發光二極體的導通電壓是1.8v。2 三極體工作條件 npn 放大，集電結反偏，發射結正偏 截止，集電結反偏，發射結反偏 飽和，集電結正偏，發射結正偏 pnp 放大，集電結正偏，發射結反偏 截止，集電結反偏，發射結反偏 飽和，集電結正偏，發射結正偏 ...
二極體 三極體 MOS管的區別
這三種管都是半導體器件。1.二極體是將pn結加上相應的電極引線和管殼就成為半導體二極體。適用於高頻和小功率的工作，也用作數位電路中的開關元件。2.三極體簡稱電晶體，分為npn型和pnp型兩種，是最重要的一種半導體器件。它用於放大作用和開關作用。3.mos管也稱為場效電晶體，是一種較新型的半導體器件。...
半導體二極體筆記
半導體二極體的引數 1.最大整流電流if 二極體長期連續工作時,允許通過二極體的最大整流電流的平均值 pn結正向偏置特性 2.反向擊穿電壓ubr 二極體反向電流急劇增加時對應的反向電壓值稱為反向擊穿電壓。3.最大反向工作電壓urm 為安全起見,在實際工作時,最大反向工作電壓urm一般只按反向擊穿電壓...