（1）晶體二極體在電路中常用「d」加數字表示。二極體的主要特性是單向導電性，也就是在正向電壓的作用下，導通電阻很小；而在反向電壓作用下導通電阻極大或無窮大。所以有隔離作用：
如上的三個二極體d2d3d4，由於單向導電性，供電只能從左往右而不能從右往左，當main_5v供電成功後，不致於電流回貫到5v_vsb即外接電源上，造成影響。
（2）晶體三極體是內部含有pn結，並且具有電流放大能力的器件。通過電晶體的控制作用，使集電極電流有更大的變化，它的變數在集電極電阻上產生大的電壓變數，從而實現電壓放大。它分npn型和pnp型兩種型別。電晶體放大器是一種三端電路，其中必有乙個端是輸入和輸出的共同「接」端，如果這個共「接」端接於發射極的，稱為共射電路；接於集電極的，稱為共集電路；接於基極的，稱為共基電路。
三極體電路的輸入、輸出電阻：輸入電阻為放大器對訊號源所呈現的負載效應，或由放大器輸入端向放大器看進去的等效電阻，ｒｉ＝ｕｉ／ｉｉ。 輸出電阻為將放大器的輸出端等效為具有內阻的電壓源，則電壓源的內阻即為放大器的輸出電阻，或由放大器輸出端向放大器看進去的等效電阻，ｒｏ＝ｕｏ／ｉｏ。
（3）場效電晶體的分類：場效電晶體分結型（jfet）、絕緣柵型(mos，是fet的一種)兩大類；按溝道材料：結型和絕緣柵型各分n溝道和p溝道兩種；按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效電晶體均為耗盡型，絕緣柵型場效電晶體既有耗盡型的，也有增強型的。如下圖：
場效應電晶體的特點是柵極的內阻極高，採用二氧化矽材料的可以達到幾百兆歐，用柵源極電壓控制漏極電流，屬於電壓控制型器件；具有較高輸入阻抗和低雜訊等優點，因而也被廣泛應用於各種電子裝置中，場效電晶體可以用作電子開關。尤其用場效管做整個電子裝置的輸入級，可以獲得一般電晶體很難達到的效能。用在電路圖的標示如下：
場效電晶體與電晶體的比較：
（1）場效電晶體是電壓控制項，而電晶體是電流控制項。在只允許從訊號源取較少電流的情況下，應選用場效電晶體（因為其內阻極大）；而在訊號電壓較低，又允許從訊號源取較多電流的條件下，應選用電晶體。
（2）場效電晶體是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而電晶體是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。
（3）有些場效電晶體的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比電晶體好。
（4）場效電晶體能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的製造工藝可以很方便地把很多場效電晶體整合在一塊矽片上，因此場效電晶體在大規模積體電路中得到了廣泛的應用。
二極體 三極體 場效電晶體
1 二極體導通電壓是0.7伏 矽管 0.3伏 鍺管 發光二極體的導通電壓是1.8v。2 三極體工作條件 npn 放大，集電結反偏，發射結正偏 截止，集電結反偏，發射結反偏 飽和，集電結正偏，發射結正偏 pnp 放大，集電結正偏，發射結反偏 截止，集電結反偏，發射結反偏 飽和，集電結正偏，發射結正偏 ...
有關二極體 三極體 場效電晶體的擊穿問題
那麼多概念，看不懂啊，怎麼辦？有沒有簡單易懂的區分方法？其實很好理解，光擊穿，那就是收到光的影響，當然普通的光是很難影響的，一般都是雷射，因此平時也很難遇到。我們常遇到的是熱擊穿和電擊穿，電擊穿就是給的電壓過高導致的，其通常伴隨的是火花 爆響聲。熱擊穿就是溫度過高導致的，其通常伴隨冒煙，有臭味。三極...
三極體BTJ與場效電晶體FET
bjt是bipolar junction transistor的縮寫，也即是雙極性電晶體。從名字上看，btj就是有兩個pn結組成。bjt有兩種型別 npn和pnp，其中npn最常用，兩者的表示符號如下圖。bjt是電流控制器件，下文以npn為例，介紹bjt的放大原理。文中會用二極體的 多子 和 少子 ...