半導體二極體的引數:
1.最大整流電流if:二極體長期連續工作時,允許通過二極體的最大整流電流的平均值(pn結正向偏置特性)。
2.反向擊穿電壓ubr:二極體反向電流急劇增加時對應的反向電壓值稱為反向擊穿電壓。
3.最大反向工作電壓urm:為安全起見,在實際工作時, 最大反向工作電壓urm一般只按反向擊穿電壓ubr的一半計算。
4.反向電流ir:反向電壓小於最大反向工作電壓時的它的電流。矽二極體的反向電流一般在納安(na)級;鍺二極體在微安(ua)級。矽二極體的反向特性比鍺好些。
5.正向壓降uf:在規定的正向電流下,二極體的正向電壓降。小電流矽二極體的正向壓降在中等電流水平下,約0.6~0.8v;鍺二極體約0.2~0.3v。
6.動態電阻rd:反映了二極體正向特性曲線斜率的倒數。顯然,rd與工作電流的大小有關,即rd=△vf/△if。
國家標準對半導體器件型號的命名舉例如下:
2ap9
第乙個數字:2代表二極體，如果是3代表三極體
第二個字母:a代表半導體的材料,a代表n型的鍺(ge),b代表p型鍺(ge),c代表n型矽(si),d代表n型矽(si)
第三個字母:代表半導體器件的型別型號,p代表普通管
第四個數字:代表同型別器件的不同
半導體二極體的溫度特性:
半導體二極體實際就是乙個pn結,pn結具有熱敏的特性，就是導電特性隨著溫度的變化。
溫度對二極體的效能有較大的影響,溫度公升高時,反向電流將呈指數規律增加,如矽二極體溫度每增加8攝氏度,反向電流將約增加一倍;鍺二極體溫度每增加12攝氏度,反向電流大約增加一倍。可以看出鍺二極體反向溫度特性比矽二極體好些。另外,溫度公升高時,二極體的正向壓降將減小,每增加1攝氏度,正向壓降vf(vd)大約減小2mv,即具有負的溫度係數。矽二極體約0.6~0.8v;鍺二極體約0.2~0.3v。但溫度公升高時,正嚮導通電壓將減小。
半導體 二極體 三極體（一）
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