14 6 EEPROM的頁寫入

在向 eeprom 連續寫入多個位元組的資料時，如果每寫乙個位元組都要等待幾 ms 的話，整體上的寫入效率就太低了。因此 eeprom 的廠商就想了乙個辦法，把 eeprom 分頁管理。24c01、24c02 這兩個型號是 8 個位元組乙個頁，而 24c04、24c08、24c16 是 16 個位元組一頁。我們開發板上用的型號是 24c02，一共是 256 個位元組，8 個位元組一頁，那麼就一共有 32 頁。

/*****************************i2c.c 檔案程式源*********************************/

（此處省略，可參考之前章節的**）

/***************************lcd1602.c 檔案程式源*******************************/

（此處省略，可參考之前章節的**）

/****************************eeprom.c 檔案程式源*******************************/
#include
extern
void
i2cstart
();extern
void
i2cstop
();extern
unsigned
char
i2creadack
();extern
unsigned
char
i2creadnak
();extern
biti2cwrite
(unsigned
char dat);
/* e2 讀取函式，buf-資料接收指標，addr-e2 中的起始位址，len-讀取長度 */
void
e2read
(unsigned
char
*buf,
unsigned
char addr,
unsigned
char len)
i2cstop
();}
while(1
);i2cwrite
(addr);
//寫入起始位址
i2cstart
();//傳送重複啟動訊號
i2cwrite
((0x50
<<1)|
0x01
);//定址器件，後續為讀操作
while
(len >1)
*buf =
i2creadnak
();//最後乙個位元組為讀取操作+非應答
i2cstop
();}
/* e2 寫入函式，buf-源資料指標，addr-e2 中的起始位址，len-寫入長度 */
void
e2write
(unsigned
char
*buf,
unsigned
char addr,
unsigned
char len)
i2cstop
();}
while(1
);//按頁寫模式連續寫入位元組
i2cwrite
(addr);
//寫入起始位址
while
(len >0)
}i2cstop
();}
}

遵循模組化的原則，我們把 eeprom 的讀寫函式也單獨寫成乙個 eeprom.c 檔案。其中e2read 函式和上一節是一樣的，因為讀操作與分頁無關。重點是 e2write 函式，我們在寫入資料的時候，要計算下乙個要寫的資料的位址是否是乙個頁的起始位址，如果是的話，則必須跳出迴圈，等待 eeprom 把當前這一頁寫入到非易失區域後，再進行後續頁的寫入。

/*****************************main.c 檔案程式源********************************/
#include
extern
void
initlcd1602
();extern
void
lcdshowstr
(unsigned
char x,
unsigned
char y,
unsigned
char
*str);
extern
void
e2read
(unsigned
char
*buf,
unsigned
char addr,
unsigned
char len);
extern
void
e2write
(unsigned
char
*buf,
unsigned
char addr,
unsigned
char len);
void
memtostr
(unsigned
char
*str,
unsigned
char
*src,
unsigned
char len);
void
main
()e2write
(buf,
0x8e
,sizeof
(buf));
//再寫回到 e2 中
while(1
);}/* 將一段記憶體資料轉換為十六進製制格式的字串，
str-字串指標，src-源資料位址，len-資料長度 */
void
memtostr
(unsigned
char
*str,
unsigned
char
*src,
unsigned
char len)
else
tmp =
*src &
0x0f
;//再取低 4 位
if(tmp <=9)
else
*str++
=' '
;//轉換完乙個位元組新增乙個空格
src++;}}

多位元組寫入和頁寫入程式都編寫出來了，而且頁寫入的程式我們還特地跨頁寫的資料，它們的寫入時間到底差別多大呢。我們用一些工具可以測量一下，比如示波器，邏輯分析儀等工具。我現在把兩次寫入時間用邏輯分析儀給抓了出來，並且用時間標籤 t1 和 t2 標註了開始位置和結束位置，如圖 14-5 和圖 14-6 所示，右側顯示的|t1-t2|就是最終寫入 5 個位元組所耗費的時間。多位元組乙個乙個寫入，每次寫入後都需要再次通訊檢測 eeprom 是否在「忙」，因此耗費了大量的時間，同樣的寫入 5 個位元組的資料，乙個乙個寫入用了 8.4ms 左右的時間，而使用頁寫入，只用了 3.5ms 左右的時間。

圖 14-5 多位元組寫入時間

圖 14-6 跨頁寫入時間

14 6 EEPROM的頁寫入

eeprom的wp 引腳 EEPROM的詳細分析

eeprom的wp 引腳 EEPROM的詳細分析

EEPROM 和 FLASH的區別

14 6 EEPROM的頁寫入

eeprom的wp 引腳 EEPROM的詳細分析

eeprom的wp 引腳 EEPROM的詳細分析

EEPROM 和 FLASH的區別

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