記憶體頻率
和cpu一樣，記憶體也有自己的工作頻率，頻率以mhz為單位記憶體主頻越高在一定程度上代表著記憶體所能達到的速度越快。記憶體主頻決定著該記憶體最高能在什麼樣的頻率正常工作。目前最為主流的記憶體頻率為ddr2-800和ddr3-1333，作為ddr2的替代者，ddr3記憶體的頻率已經在向3000mhz進發。
記憶體容量
記憶體的容量不但是影響記憶體**的因素，同時也是影響到整機系統效能的因素。過去windows xp平台，512m的記憶體還是主流，1gb已經是大容量；到了現在，64位系統開始普及，windows vista、windows 7越來越多人使用，沒有2gb左右的記憶體都不一定能保證操作的流暢度。目前，單根記憶體的容量主要有1gb、2gb兩種，高階的還有很罕有的單根4gb超大容量記憶體。
工作電壓
記憶體正常工作所需要的電壓值，不同型別的記憶體電壓也不同，但各自均有自己的規格，超出其規格，容易造成記憶體損壞。ddr2記憶體的工作電壓一般在1.8v左右，而ddr3記憶體則在1.6v左右。有的高頻記憶體需要工作在高於標準的電壓值下，具體到每種品牌、每種型號的記憶體，則要看廠家了。只要在允許的範圍內浮動，略微提高記憶體電壓，有利於記憶體超頻，但是同時發熱量大大增加，因此有損壞硬體的風險。
記憶體時序引數
tcl : cas latency control（tcl）
一般我們在查閱記憶體的時序引數時，如「8-8-8-24」這一類的數字序列，上述數字序列分別對應的引數是「cl-trcd-trp-tras」。這個第乙個「8」就是第1個引數，即cl引數。
cas latency control（也被描述為tcl、cl、cas latency time、cas timing delay），cas latency是「記憶體讀寫操作前列位址控制器的潛伏時間」。cas控制從接受乙個指令到執行指令之間的時間。因為cas主要控制十六進製制的位址，或者說是記憶體矩陣中的列位址，所以它是最為重要的引數，在穩定的前提下應該盡可能設低。
記憶體是根據行和列定址的，當請求觸發後，最初是tras（activeto precharge delay），預充電後，記憶體才真正開始初始化ras。一旦tras啟用後，ras（row address strobe ）開始進行需要資料的定址。首先是行位址，然後初始化trcd，週期結束，接著通過cas訪問所需資料的精確十六進製制位址。期間從cas開始到cas結束就是cas延遲。所以cas是找到資料的最後乙個步驟，也是記憶體引數中最重要的。
這個引數控制記憶體接收到一條資料讀取指令後要等待多少個時鐘週期才實際執行該指令。同時該引數也決定了在一次記憶體突發傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘週期數。這個引數越小，則記憶體的速度越快。必須注意部分記憶體不能執行在較低的延遲，可能會丟失資料。而且提高延遲能使記憶體執行在更高的頻率，所以需要對記憶體超頻時，應該試著提高cas延遲。
該引數對記憶體效能的影響最大，在保證系統穩定性的前提下，cas值越低，則會導致更快的記憶體讀寫操作。
trcd : ras to cas delay
該值就是「8-8-8-24」記憶體時序引數中的第2個引數，即第2個「8」。ras to cas delay（也被描述為：trcd、ras to cas delay、active to cmd），表示"行定址到列定址延遲時間"，數值越小，效能越好。對記憶體進行讀、寫或重新整理操作時，需要在這兩種脈衝訊號之間插入延遲時鐘週期。在jedec規範中，它是排在第二的引數，降低此延時，可以提高系統效能。如果你的記憶體的超頻效能不佳，則可將此值設為記憶體的預設值或嘗試提高trcd值。
trp : row precharge timing（trp）
該值就是「8-8-8-24」記憶體時序引數中的第3個引數，即第3個「8」。row precharge timing （也被描述為：trp、ras precharge、precharge to active），表示"記憶體行位址控制器預充電時間"，預充電引數越小則記憶體讀寫速度就越快。trp用來設定在另一行能被啟用之前，ras需要的充電時間。
tras : min ras active timing
該值就是該值就是「8-8-8-24」記憶體時序引數中的最後乙個引數，即「24」。min ras active time （也被描述為：tras、active to precharge delay、row active time、precharge wait state、row active delay、row precharge delay、ras active time），表示「記憶體行有效至預充電的最短週期」，調整這個引數需要結合具體情況而定，一般我們最好設在24~30之間。這個引數要根據實際情況而定，並不是說越大或越小就越好。
如果tras的週期太長，系統會因為無謂的等待而降低效能。降低tras週期，則會導致已被啟用的行位址會更早的進入非啟用狀態。如果tras的週期太短，則可能因缺乏足夠的時間而無法完成資料的突發傳輸，這樣會引發丟失資料或損壞資料。該值一般設定為cas latency + trcd + 2個時鐘週期。
DDR3 記憶體頻寬計算
記憶體頻寬計算公式 頻寬 記憶體核心頻率 記憶體匯流排位數 倍增係數。先容我從ddr的技術說起，ddr採用時鐘脈衝上公升 下降沿各傳一次資料，1個時鐘訊號可以傳輸2倍於sdram的資料，所以又稱為雙倍速率sdram。它的倍增係數就是2。ddr2仍然採用時鐘脈衝上公升 下降支各傳一次資料的技術 不是傳...
DDR3學習除錯重要引數
最近可能需要配置ddr3記憶體，所有找了一下關於ddr3記憶體的資料。大部分中文資料都是ddr3與ddr2對比的資料，我稍微整理了一下，主要有以下幾點 一 容量和封裝相關 1 邏輯bank 數量增加 ddr2 sdram 中有4bank 和8bank 的設計，而 ddr3 起始的邏輯bank 是8 ...
討論DDR3的幾種重要引數
討論ddr3的幾種重要引數 在自己手上的案子和周圍同事的經歷中，得到一些關於ddr3配置的經驗。權且記錄下來，以便後續可以回顧和參考。memory init的過程一般都比較複雜，屬於晶元核心的東西，普通的oem odm開發人員不適宜去修改或者調整其中的配置，除非有必要。我們經歷的這些問題基本都是因為...